[发明专利]压力传感器及压力传感器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法，尤其涉及具有隔膜的压力传感器及该传感器的制造方法。

背景技术

利用了半导体的压阻效应的压力传感器，由于具有小型、轻量、高敏感度等优点，所以被广泛地应用在工业测量、医疗等领域。专利文献1所记载的压力传感器中，在半导体基板的隔膜部形成了具有压阻效应的应变片、电阻部。而且，在半导体基板上形成有具有接点的绝缘膜。并且，通过该接点，使形成在绝缘膜上的电极焊盘与电阻部连接。

专利文献1：日本特开平06-102119号公报

但是，在专利文献1所记载的压力传感器中，不能防止因绝缘不良引起的漏电流。在图14中，示意性地表示了专利文献1涉及的压力传感器。如图14所示，有时会在电极焊盘205的下面的绝缘膜204上存在缺陷206等，而发生绝缘不良。该情况下，在该绝缘不良的部分206中，产生从电极焊盘205向半导体基板201的漏电流，由此，存在着在应变片202中流动的测定电流产生误差，导致引起检测误差等特性异常的问题。并且，产生不必要的电流消耗。

发明内容

本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于，提供一种能够防止因漏电流而引起的特性异常的压力传感器及压力传感器的制造方法。

本发明的第1方式涉及的压力传感器具备：半导体基板、绝缘膜和外部导电部。在所述半导体基板上形成有内部电阻部。而且，所述绝缘膜形成在所述半导体基板上。并且，所述外部导电部形成在所述绝缘膜上。而且，在所述绝缘膜中形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点。并且，所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻的范围相当的范围内。

根据本发明涉及的第1方式，外部导电部形成在与半导体基板上形成的内部电阻部的范围相当的范围内。换言之，外部导电部形成在形成有内部电阻部的范围上。由此，当在位于外部导电部的下方的绝缘膜存在缺陷等绝缘不良部时，在该绝缘不良部的下面形成有内部电阻部。并且，由于外部导电部与内部电阻部在理想的情况下为同电位，所以，即使在绝缘膜上存在该绝缘不良部，也几乎不会因该绝缘不良部而产生漏电流。另外，即使假设因该绝缘不良部而产生了漏电流，也只是从预先通过接点实现电连接的外部导电部向内部电阻部流动电流。因此，不影响压力传感器的特性。从而，可以防止因漏电流引起的特性异常。

本发明的第2方式涉及的压力传感器具有：半导体基板、绝缘膜和外部导电部。在所述半导体基板上形成有多个内部电阻部。而且，所述绝缘膜形成在所述半导体基板上。并且，在所述绝缘膜上形成有多个所述外部导电部。而且，在所述绝缘膜中，形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的多个接点。并且，所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内。

根据本发明涉及的第2方式，可以得到和第1方式相同的效果。

而且，优选所述半导体基板是n型半导体基板，所述内部电阻部由p型半导体构成，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分，以大于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。

并且，优选所述半导体基板是p型半导体基板，所述内部电阻部由n型半导体构成，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分，以小于等于所述外部导电部的电位，对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压，且施加电压后，所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。

由此，可以将从外部导电部向半导体基板的未形成内部电阻部的部分流动的电流控制为微少量。从而，能够更可靠地防止压力传感器的特性异常。

并且，优选设置于所述绝缘膜的所述接点个数与所述外部导电部的个数相同，或者少于所述外部导电部的个数。

在接点个数较多的情况下，在构造上，容易受到压力以外的应力的影响。根据本发明，由于将接点的个数限制为必要的最小限度，所以可以减少压力以外的应力带来的影响。