[发明专利]一种银氧化锡电接触材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010218545.1 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN102312119A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 刘立强;柏小平;翁桅;颜小芳 申请(专利权)人: 福达合金材料股份有限公司
主分类号: C22C5/06 分类号: C22C5/06;C22C32/00;C22C1/04;H01H1/0237
代理公司: 温州瓯越专利代理有限公司 33211 代理人: 王阿宝
地址: 325000 浙江省温州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 接触 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:

(1)合金熔炼,将银锡按比例配比后经中频熔炼形成合金熔体;

(2)雾化制粉,将合金熔体经高压雾化设备雾化制成银锡合金粉体;

(3)等静压制锭,将银锡合金粉体通过等静压制锭加工成胚锭;

(4)烧结,将胚锭在非氧化性介质中进行烧结,烧结温度为300℃-900℃获得银锡合金粉体烧结锭;

(5)挤压、轧制,将银锡合金粉体烧结锭挤压制成挤压丝材或挤压板材,然后将挤压丝材通过冷拉拔制成规格尺寸的银锡合金粉体丝材,或将挤压板材通过轧制制成规格尺寸的银锡合金粉体板材;

(6)内氧化,将银锡合金粉体丝材或银锡合金粉体板材内氧化法制得银氧化锡电接触材料。

2.根据权利要求1所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中还可包括有其他金属添加物,各组分按质量分数计,其中

Sn  6%-20%         In  0%-4%,

Cu  0.2%-1%        Ni  0.2%-1%

Al  0.2%-1%        Bi  0.2%-1%

其余为Ag。

3.根据权利要求1或2所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中熔炼温度为900℃-1300℃。

4.根据权利要求3所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)雾化制粉为水雾化制粉或者气雾化制粉,其中气雾化压力在5MPa-20MPa,水雾化压力在20MPa-100MPa。

5.根据权利要求4所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)等静压压力控制在50MPa-250MPa。

6.根据权利要求4或5所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述的步骤(4)中非氧化性介质为真空或者氢气、氩气或氮气气氛。

7.根据权利要求6所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中挤压操作的工艺条件控制在:挤压温度400℃-900℃,挤压比≥80。

8.根据权利要求7所述的一种银氧化锡电接触材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中内氧化工艺条件控制在:纯氧压力0.1-1.5MPa、温度400-750℃。

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