[发明专利]共享字线的分栅式闪存的擦除方法

权利要求书

1.一种共享字线的分栅式闪存的擦除方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上；其特征在于所述擦除方法包括：分别对所述字线、所述第一控制栅和所述第二控制栅施加电压，实现对所述第一存储位单元和所述第二存储单元的擦除，其中所述字线施加电压范围为7V至8V，所述第一控制栅上施加电压范围为-8V至-6V，所述第二控制栅上施加电压范围为-6V至-8V。

2.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：在所述字线、所述第一控制栅和所述第二控制栅上施加电压分别为7V、-8V和-8V。

3.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：在所述字线、所述第一控制栅和所述第二控制栅上施加电压分别为8V、-7V和-7V。

4.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：在所述字线、所述第一控制栅和所述第二控制栅上施加电压分别为7V、-7V和-7V。

5.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：在所述字线、所述第一控制栅和所述第二控制栅上施加电压分别为8V、-6V和-6V。

6.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：所述第一控制栅和所述第二控制栅为多晶硅控制栅。

7.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：所述第一浮栅和所述第二浮栅为多晶硅浮栅。

8.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：所述字线为多晶硅选择栅。

9.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的擦除方法，其特征在于：所述隧穿氧化层为氧化硅层。