[发明专利]一种基于金属、氧化锌和重掺硅结构的电阻式存储器无效
| 申请号： | 201010182402.X | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101867016A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 季振国;毛启楠;柯伟青 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 氧化锌 重掺硅 结构 电阻 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于金属、氧化锌和重掺硅结构的电阻式存储器，其特征在于：该电阻器由N型重掺硅衬底(1)、氧化锌薄膜(2)和金属薄膜电极(3)依次粘附组成。
2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：所述N型重掺硅衬底的电阻率小于0.1Ω·cm。
3.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：所述氧化锌薄膜的厚度范围为10-500nm。
4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于：金属薄膜电极为在常温下呈固体的金属材料，如金、铂、铜、铝、钛、钽或钨等。
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