[发明专利]蚀刻装置及蚀刻电路板的方法有效

专利信息
申请号: 201010178139.7 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN102256447B 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 蔡宗青;郭同尧 申请(专利权)人: 富葵精密组件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;C23F1/02;G05B19/04
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 哈达
地址: 518103 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 装置 电路板 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板制造领域,尤其涉及一种用于电路板蚀刻工艺的蚀刻 装置及蚀刻电路板的方法。

背景技术

随着电子技术的飞速发展,电路板集成度越来越高,电路板的导电线路 制作得越来越精细,这要求同一电路板的导电线路的尺寸公差尽可能小,即 蚀刻制程中的蚀刻效果需尽可能保持一致。

蚀刻生产线的自动化程度较高,成本较低,在电路板生产中得以广泛使 用。该工艺采用水平滚轮带动电路基板,利用设有多个喷嘴的直线形喷管式 蚀刻装置向电路基板喷洒蚀刻液。然而,使用该蚀刻装置对电路基板蚀刻时, 由于每个喷管设置喷嘴个数和长度的一致,会使蚀刻液自电路基板的边缘区 流出板外,从而电路板边缘区域蚀刻液更新速率较快,而在电路基板中央区 域积留,形成水池,产生水池效应。该水池效应会使电路基板中央区域的蚀 刻液更新较慢,积留的蚀刻液膜会降低对线路的咬蚀量,容易发生线路蚀刻 不足,而电路基板边缘区部分的蚀刻液流动速度快,更新较快,容易发生线 路过蚀。即,该水池效应会导致电路基板蚀刻不均匀,尤其容易导致最终制 得的电路板的线路宽度不均,且中央区域的导电线路连线。为获得足够线宽, 不得不对电路板边缘区的线路预留多余线宽,大大降低了电路板的线路密 度。

因此,有必要提供一种可提升电路板蚀刻均匀性的蚀刻装置及蚀刻电路 板的方法。

发明内容

以下以实施例为例说明一种可提高蚀刻均匀性蚀刻装置及蚀刻电路板 的方法。

一种蚀刻装置,用于喷洒蚀刻液以蚀刻电路板,所述蚀刻装置包括多根 喷管、多个感测器及一个控制器。多个喷管沿垂直于电路板的传送方向依次 平行排列,每个所述喷管包括设置于其上的喷嘴和阀门,沿着电路板的传送 方向各喷管上的喷嘴的数量依次逐渐增加,各根喷管上相邻的两个喷嘴的间 距均相等,每个所述喷管上的喷嘴均关于垂直于所述多根喷管的同一条直线 对称分布,所述阀门用于控制与其位于同一喷管的喷嘴是否喷洒蚀刻液。多 个感测器与多个喷管一一对应,所述感测器用于感测电路板与所述感测器对 应的喷管的位置关系。所述控制器与多个感测器及多个阀门电连接,所述控 制器用于根据所述感测器的感测结果控制与该感测器对应的阀门的开启和 关闭,从而控制与所述阀门位于同一喷管的喷嘴是否喷洒蚀刻液。

一种蚀刻电路板的方法,包括步骤:提供所述的蚀刻装置;提供电路板, 所述电路板具有需进行蚀刻的第一表面;将电路板的第一表面与多个喷管的 喷嘴相对,并驱使电路板进行移动,在垂直于电路板的移动方向,电路板具 有相对的第一侧边和第二侧边,所述控制器设定有所述第一侧边经过每个所 述喷管后第一侧边与每个所述喷管的距离及所述第二侧边未经过每个所述 喷管前第二侧边与每个所述喷管的距离,采用多个感测器感测其对应的喷管 与所述第一侧边和第二侧边的位置关系,并将感测的结果传送至控制器,当 所述第一侧边经过每个感测器对应的喷管后第一侧边与所述感测器对应的 喷管距离大于所述控制器设定的第一侧边经过所述感测器对应的喷管后第 一侧边与所述感测器对应的喷管的距离时,控制器控制与感测器对应的阀门 的开启,当所述第二侧边未经过所述感测器对应的喷管前且第二侧边与所述 感测器对应的喷管的距离小于所述控制器设定的所述第二侧边未经过所述 感测器对应的喷管前第二侧边与所述感测器对应的喷管的距离时,所述控制 器控制与所述感测器对应的阀门的关闭。

与现有技术相比,本技术方案提供的蚀刻装置,其包括的多根喷管上的 喷嘴呈等腰三角形或等腰梯形排列,并且每个喷管设置有控制阀门,能够进 行电路板蚀刻过程中,通过控制阀门控制喷管是否喷洒蚀刻液,进而可以控 制各喷管在电路板表面喷洒蚀刻液的区域,以达到提升电路板蚀刻均匀性。 本技术方案提供的电路板蚀刻方法,在对电路板进行蚀刻时,电路板的中间 区域喷洒蚀刻液时间较长,电路板的边缘区域喷洒蚀刻液的时间较少,可以 使得电路板的中间区域能够与更多的新鲜蚀刻液接触,防止了电路板中间区 域的水池效应。电路板边缘区域喷洒蚀刻液时间较少,可以防止电路板边缘 区域产生过蚀,从而可以有效地提升电路板蚀刻的均匀性。

附图说明

图1是本技术方案第一实施例提供的蚀刻装置的示意图。

图2是本技术方案第二实施例提供的蚀刻装置的示意图。

图3是本技术方案第三实施例提供的蚀刻装置进行蚀刻电路板的示意 图。

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