[发明专利]用于制造基板的设备和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年2月12日提交的、题为“Apparatus and method formanufacturing substrate”的韩国专利申请No.10-2010-0013576的优先权，其作为参考被整体合并到本申请中。

技术领域

本发明涉及用于制造基板的设备和方法。

背景技术

最近，为了跟上半导体芯片的致密化和信号传送速度的提高，愈加需要直接将半导体芯片安装在基板中的技术。所以，也需要开发能够应付半导体芯片致密化的高密度和高可靠性的基板。

高密度和高可靠性的基板的所需规格与半导体芯片的规格紧密相关，并且有很多问题需要解决，诸如电路的微型化、极好的电特性、高速信号传输、高可靠性、高功能性等等。响应于这些规格，需要一种在基板中形成微型电路图案和微型通孔的技术，从而对这种技术做了各种研究。而且，为了提高制造基板的生产率，研究了一种自动制造基板的方法。

图1是显示了用于制造基板的传统设备和方法的视图。在下文中，将参考图1描述用于制造基板的传统设备和方法。

首先，绝缘层11和铜箔12被提供给基板制造设备10，然后铜箔12被置于绝缘层11的两侧。

随后，铜箔12被基板制造设备10附着到绝缘层11的两侧上。具体地，基板制造设备10包括一对热板14和的一对压板15，以及在真空下通过使用压板15冲压铜箔12来将铜箔12热附着到绝缘层11上，以及然后使用热板14对冲压的铜箔12进行加热。

随后，涂有铜箔12的绝缘层11被冷却，然后与压板15和热板14分离，从而制造基板13。

然而，用于制造基板的传统设备和方法的问题在于，绝缘层11和铜箔12的提供以及基板的分离都是由手工来执行的，从而增加了次品率和降低了生产率。

而且，用于制造基板的传统设备和方法的问题在于，制造基板13的过程在基板13暴露于外部的状态下被执行，从而绝缘层11会被空气氧化或被灰尘污染等。

发明内容

因此，提出了本发明以解决上述问题，并且本发明提供了一种用于制造基板的设备和方法，所述设备和方法可以通过自动和持续制造基板来降低次品率并提高生产率。

而且，本发明提供了一种用于制造基板的设备和方法，该设备和方法可以通过阻挡在制造基板过程期间的空气来防止基板的污染。

本发明的一个方面提供了一种用于制造基板的设备，该设备包括：第一腔室，用于提供绝缘层；第二腔室，包括用于粗加工从第一腔室提供的绝缘层的至少一侧的粗加工辊子、用于将金属层沉积于粗加工后的绝缘层上的蒸发器、和用于冲压绝缘层和金属层的冲压辊子；以及第三腔室，用于存储包括金属层的绝缘层，所述金属层被形成在所述绝缘层上，所述绝缘层从第二腔室被取出。

这里，第一腔室、第二腔室和第三腔室可以被维持在真空状态，以及第一腔室和第三腔室可以允许真空状态被释放。

而且，第二腔室还可以包括位于粗加工辊子前面并用于加热绝缘层的第一加热器，以及位于粗加工辊子后面并用于冷却绝缘层的第一冷却器。

而且，第一加热器和第一冷却器可以具有辊型，从而可以持续传送绝缘层。

而且，第二腔室还可以包括位于冲压辊子前面并用于加热绝缘层的第二加热器，以及位于冲压辊子后面并用于冷却绝缘层的第二冷却器。

而且，第二加热器和第二冷却器可以具有辊型，从而可以持续传送包括金属层的绝缘层，所述金属层被形成在所述绝缘层上。

而且，蒸发器可以是电子束蒸发器。

而且，绝缘层可以由预浸料(prepreg)制成，以及金属层可以由铜制成。

而且，用于制造基板的设备还可以包括按照第一腔室、粗加工辊子、蒸发器、冲压辊子和第三腔室的顺序持续传送绝缘层的输送器。

本发明的另一方面提供了一种制造基板的方法，该方法包括：从第一腔室向第二腔室提供绝缘层；粗加工被提供给第二腔室的绝缘层的至少一侧；将金属层沉积在粗加工后的绝缘层上；冲压沉积有金属层的绝缘层；以及将包括金属层的冲压后的绝缘层传送到第三腔室，所述金属层被形成在所述绝缘层上。

这里，第一腔室、第二腔室和第三腔室可以被维持在真空状态。

而且，绝缘层的至少一侧的粗加工可以包括：加热被提供给第二腔室的绝缘层；粗加工加热后的绝缘层；以及冷却粗加工后的绝缘层。

而且，沉积有金属层的绝缘层的冲压可以包括：加热沉积有金属层的绝缘层；冲压加热后的绝缘层和金属层；以及冷却冲压后的绝缘层和金属层。