[发明专利]用于制造基板的设备和方法无效
| 申请号: | 201010174137.0 | 申请日: | 2010-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102157388A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 申东周;李春根;林成泽 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 设备 方法 | ||
1.一种用于制造基板的设备,该设备包括:
第一腔室,该第一腔室用于提供绝缘层;
第二腔室,该第二腔室包括用于粗加工从所述第一腔室提供的所述绝缘层的至少一侧的粗加工辊子、用于将金属层沉积在粗加工后的绝缘层上的蒸发器和用于冲压所述绝缘层和所述金属层的冲压辊子;以及
第三腔室,该第三腔室用于存储包括所述金属层的所述绝缘层,所述金属层被形成在所述绝缘层上,所述绝缘层从所述第二腔室被取出。
2.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,其中所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室被维持在真空状态,以及所述第一腔室和所述第三腔室允许所述真空状态被释放。
3.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,其中所述第二腔室还包括位于所述粗加工辊子前面并用于加热所述绝缘层的第一加热器,以及位于所述粗加工辊子后面并用于冷却所述绝缘层的第一冷却器。
4.根据权利要求3所述的用于制造基板的设备,其中所述第一加热器和所述第一冷却器具有辊型,从而所述绝缘层被持续传送。
5.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,其中所述第二腔室还包括位于所述冲压辊子前面并用于加热所述绝缘层的第二加热器,以及位于所述冲压辊子后面并用于冷却所述绝缘层的第二冷却器。
6.根据权利要求5所述的用于制造基板的设备,其中所述第二加热器和所述第二冷却器具有辊型,从而包括所述金属层的所述绝缘层被持续传送,所述金属层被形成在所述绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,其中所述蒸发器是电子束蒸发器。
8.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,其中所述绝缘层由预浸料制成,以及所述金属层由铜制成。
9.根据权利要求1所述的用于制造基板的设备,该设备还包括输送器,该输送器用于按照所述第一腔室、所述粗加工辊子、所述蒸发器、所述冲压辊子和所述第三腔室的顺序持续传送所述绝缘层。
10.一种制造基板的方法,该方法包括:
从第一腔室向第二腔室提供绝缘层;
粗加工被提供给所述第二腔室的所述绝缘层的至少一侧;
将金属层沉积在粗加工后的绝缘层上;
冲压沉积有所述金属层的所述绝缘层;以及
将包括所述金属层的冲压后的绝缘层传送到第三腔室,其中所述金属层被形成在所述绝缘层上。
11.根据权利要求10所述的制造基板的方法,其中所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室被维持在真空状态。
12.根据权利要求10所述的制造基板的方法,其中对所述绝缘层的至少一侧的粗加工包括:
加热被提供给所述第二腔室的所述绝缘层;
粗加工加热后的绝缘层;以及
冷却粗加工后的绝缘层。
13.根据权利要求10所述的制造基板的方法,其中对沉积有所述金属层的所述绝缘层的冲压包括:
加热沉积有所述金属层的所述绝缘层;
冲压加热后的绝缘层和金属层;以及
冷却冲压后的绝缘层和金属层。
14.根据权利要求10所述的制造基板的方法,其中在沉积所述金属层的过程中,使用电子束蒸发器将所述金属层沉积在所述绝缘层上。
15.根据权利要求10所述的制造基板的方法,其中所述绝缘层由预浸料制成,以及所述金属层由铜制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010174137.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双过滤腔变频电磁水处理器
- 下一篇:放射线敏感性组合物以及固化膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





