[发明专利]集成电路晶圆切割方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种集成电路晶圆切割方法，其中可通过集成电路晶圆切割方法形成集成电路晶粒。

背景技术

硅晶圆是目前制作集成电路的基底材料(Substrate)，通过集成电路制造技术，经过一系列繁复的化学、物理和光学程序，完成的集成电路晶圆上可产生出数以千、百计的晶粒(die)。这些晶粒经由测试、切割、封装等过程，可进一步成为一颗颗具有各种功能的集成电路产品。

如图1A及图1A中区域80的PP切面放大的图1B所示的已知技术，已知集成电路晶圆90包含晶圆基板100、复数个集成电路300、复数个测试键400及保护层500。已知技术进行晶圆切割时通常是以切割刀沿相邻的集成电路300间的路径对集成电路晶圆90施外力K。由于切割时仅是以切割刀直接对集成电路晶圆90进行切割，因此，集成电路晶圆90会受切割应力破坏而产生有裂痕及损坏的情形。以上集成电路晶圆切割方法有改善的空间。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种集成电路晶圆切割方法，具有较佳的集成电路晶圆切割良率。

本发明的集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路；于集成电路上方形成图案化保护层；以及使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻穿晶圆基板，以形成复数个集成电路晶粒。其中，图案化保护层较佳是光阻。

图案化保护层的形成步骤包含：形成光阻层以覆盖晶圆基板；使用光罩，对光阻层进行曝光；以及对光阻层进行显影，以形成图案化保护层。蚀刻步骤包含使用干式或湿式蚀刻工艺。

集成电路晶圆切割方法进一步包含在蚀刻步骤前，将晶圆基板的另一侧粘附于支撑件。集成电路晶圆切割方法进一步包含在蚀刻步骤后，将复数个集成电路晶粒与支撑件分离。集成电路晶圆切割方法于形成图案化保护层之前，进一步包含形成一隔离层以覆盖晶圆基板的集成电路。

附图说明

图1A及图1B为已知技术示意图；

图2为本发明实施例流程图；

图3A及图3B所示为本发明于晶圆基板上形成集成电路的实施例示意图；

图4A及图4B为本发明实施例形成图案化保护层示意图；

图5A及图5B为本发明实施例具有图案化保护层示意图；

图6为本发明实施例所形成集成电路晶粒的示意图；

图7为本发明不同实施例流程图；

图8A及图8B为本发明实施例晶圆基板的另一侧粘附于支撑件的示意图；

图9为本发明较佳实施例流程图；

图10为本发明实施例隔离层覆盖晶圆基板的示意图；

图11A为本发明较佳实施例图案化保护层形成于集成电路上方的示意图；以及

图11B为本发明较佳实施例形成的集成电路晶粒的示意图。

主要元件符号说明

100晶圆基板

300集成电路

310集成电路晶粒

311集成电路晶粒

400测试键

500保护层

510光阻层

511图案化保护层

520隔离层

666光罩

600沟槽

80区域

800区域

888支撑件

90集成电路晶圆

K外力

具体实施方式

如图2所示，本发明的集成电路晶圆切割方法，包含：

步骤1010，于晶圆基板形成复数个集成电路。具体而言，是以重复施以热工艺、沈积、微影、蚀刻等半导体程序，于晶圆基板100上形成集成电路300如图3A及图3B所示。

步骤1030，于集成电路上方形成图案化保护层。图案化保护层较佳是为光阻。具体而言，图案化保护层的形成步骤包含：如图4A所示形成光阻层510以覆盖晶圆基板100；如图4B所示使用光罩666，对光阻层510进行曝光；以及对光阻层510进行显影，以形成如图5A及图5B所示的图案化保护层511。其中，图4A所示的光阻层510较佳是以旋转涂布的方式覆盖晶圆基板100及其表面的集成电路300。图5A及图5B所示的图案化保护层511是具有复数条沟槽600的已显影的光阻层510。其中，复数条沟槽600以自图案化保护层511表面向下延伸的方式形成于集成电路300之间，而图案化保护层511则覆盖于集成电路300。

步骤1050，使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻穿晶圆基板，以形成复数个集成电路晶粒。具体而言，是使用干式或湿式蚀刻工艺，蚀刻穿如图6所示的晶圆基板100，以形成复数个分离的集成电路晶粒310。