[发明专利]晶圆背面金属层附着力的检测方法无效
申请号: | 201010164930.2 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN101814450A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 傅荣颢;刘玮荪 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 金属 附着力 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺,尤其涉及一种晶圆背面金属层附着力的检测方法。
背景技术
随着半导体器件封装工艺的发展,在晶圆背面淀积金属层越来越普遍,晶圆背面金属层对晶圆表面的附着力是衡量晶圆背面金属层质量优劣的一个最关键因素。在半导体器件制造过程中,晶圆背面金属层对晶圆表面的附着力需要例行检测和控制,以确保生产出优质合格的产品。
现有技术中对晶圆背面金属层附着力进行检测的方法是:对待测样品进行贴膜划片,即在晶圆样品的背面贴上蓝膜(该晶圆样品背面淀积有金属层),再对贴上蓝膜的晶圆进行划片,该贴上蓝膜的晶圆被划分为多个背面贴有蓝膜的芯粒;用胶带将芯粒从蓝膜上剥离,以金属层是否有残留在蓝膜上作为金属层附着力优劣的判断标准,若有金属层残留在蓝膜上,则表明金属层附着力有待优化,若无金属层残留在蓝膜上,则表明金属层附着力符合生产要求。
现有技术中检测晶圆背面金属层附着力的方法存在以下缺点:首先,该方法只能定性判断晶圆背面金属层附着力是否符合生产要求,不能定量测量出晶圆背面金属层附着力,而且不能通过该方法对各种不同附着力(如,金属层与晶圆表面之间的附着力、不同金属层之间的附着力)得出准确结论;其次,检测成本高,蓝膜价格比较贵,划片花费更高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆背面金属层附着力的检测方法,能定量测量金属层附着力,检测方法简单且成本低。
为了达到上述的目的,本发明提供一种晶圆背面金属层附着力的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,分别在晶圆样品的正面和背面上淀积金属层;步骤2,在正面和背面均淀积有金属层的晶圆样品中选择芯粒作被测样品,分别在所述被测样品的正面和背面上焊接引线;步骤3,用拉力计拉所述被测样品背面的引线,并记录所述被测样品拉断前的拉力值;步骤4,对所述被测样品的断层位置进行分析。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述步骤1中的金属层为一种金属薄膜形成的单金属层。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述步骤1中的金属层为多种金属薄膜组成的复合金属层。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述步骤2中采用电烙铁分别在所述被测样品的正面和背面的金属层上涂布焊锡,利用焊锡将所述引线焊接到所述金属层上。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述引线为铜引线。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述步骤4中,若所述被测样品的断层位置在晶圆材料上,则表明晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力非常理想;若所述被测样品的断层位置在晶圆材料与金属层之间,则表明晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力有待优化,所述拉力计测得的所述被测样品拉断前的拉力值等于晶圆背面金属层与晶圆表面之间附着力的大小。
上述晶圆背面金属层附着力的检测方法,其中,所述步骤4中,若所述被测样品的断层位置在晶圆材料上,则表明晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力以及金属薄膜之间的附着力非常理想;若所述被测样品的断层位置在晶圆材料与金属层之间,则表明晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力有待优化,所述拉力计测得的所述被测样品拉断前的拉力值等于晶圆背面金属层与晶圆表面之间附着力的大小;若所述被测样品的断层位置在各金属薄膜之间,则表明各金属薄膜之间的附着力有待优化或工艺出现异常,所述拉力计测得的所述被测样品拉断前的拉力值等于金属薄膜之间附着力的大小。
本发明晶圆背面金属层附着力的检测方法既可准确检测出晶圆背面金属层与晶圆表面之间附着力的大小及质量优劣,又可准确检测出各金属薄膜之间附着力的大小及质量优劣;
本发明晶圆背面金属层附着力的检测方法采用拉力计测量晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力以及金属薄膜之间的附着力,能定量测量出晶圆背面金属层与晶圆表面之间的附着力以及金属薄膜之间的附着力,测量结果准确可靠,检测方法简单;
本发明晶圆背面金属层附着力的检测方法采用拉力计、引线、焊料就能准确检测出晶圆背面金属层附着力大小及质量优劣,成本低,可操作性强。
附图说明
本发明的晶圆背面金属层附着力的检测方法由以下的实施例及附图给出。
图1是本发明晶圆背面金属层附着力的检测方法的流程图。
图2是焊接上引线后的被测样品的剖视图。
图3是用拉力计做拉力测试的示意图。
图4是被测样品的断层位置在硅与硅之间的示意图。
图5是被测样品的断层位置在硅与金属层之间的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010164930.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:夹持式基板翻转装置
- 下一篇:汽车制动能量再生控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造