[发明专利]一种硅基复合衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 201010156392.2 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102208337A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 施建江;杨少延;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 杭州海鲸光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波;屈玉华 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，包含：
一硅单晶基底；
一复合应力协变层，形成在所述硅单晶基底上，所述复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；
一氮化镓模板层，形成在所述复合应力协变层上，所述氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。
2.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述复合应力协变层中氮化钛层每层的厚度不大于氮化铝层每层厚度的1/3。
3.根据权利要求2所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述复合应力协变层中氮化铝层每层的厚度为15～90nm。
4.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述复合应力协变层中氮化铝层的层数为2～10层。
5.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述复合应力协变层中各氮化钛层分别插入到各氮化铝层之间。
6.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述氮化镓模板层的厚度不小于1μm。
7.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述氮化镓模板层从1100℃生长温度降到室温的降温速率为5～20℃/分钟。
8.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，其中所述用于制备复合应力协变层中的氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料以及氮化镓模板层中氮化镓单晶薄膜材料的材料生长工艺包括金属有机物化学气相沉积、离子束外延、分子束外延、脉冲激光沉积、等离子体辅助化学气相沉积及磁控溅射沉积。
9.根据权利要求1所述的用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，所述的硅基复合衬底可以用于氮化镓、氮化铝、氮化铟、铝镓氮、铟镓氮、铟铝镓氮单晶薄膜材料及其LED器件结构制备生长。
10.一种制造硅基复合衬底的方法，该硅基复合衬底用于制备氮化物半导体外延材料，其特征在于，包含：
形成一硅单晶基底；
在所述硅单晶基底上形成一复合应力协变层，所述复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；
在所述复合应力协变层上形成一氮化镓模板层，所述氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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