[发明专利]一种新型的相变存储器结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种新型的相变存储器结构及其制备工艺，其特点是：利用下电极(1)和上电极(7)将脉冲电流或电压施加到加热头(3)，隔热层(2)能很好的隔绝电信号和热量。加热头(3)对相变材料层(4)进行加热使其发生晶态和非晶态的循环可逆变换，实现信息的写入和擦除。用弱电压或电流脉冲可实现记录信息的重复读出。增加了导热层(5)和粘附层(6)，粘附层(6)可以将上电极(7)很好的和导热层(5)相连接，加入的导热层(5)有利于信息的擦除，并有利于缩短写入时间，提高相变存储器的性能。

2.权利要求1中所述下电极(1)为厚度为0.5mm的TiN或钨。

3.权利要求1中所述隔热层(2)为厚度为10-100nm的SiN或ZnS-SiO₂。

4.权利要求1中所述加热头(3)为直径为10-100nm的TiN。

5.权利要求1中所述相变层(4)为厚度为5-50nm的GeSbTe，AgInSbTe，GeTe，GeSb SiSb，SiSbTe薄膜。

6.权利要求1中所述导热层(5)为厚度为5-500nm的Ag或Al或Cu或Pt或Au薄膜。

7.权利要求1中所述粘附层(6)为厚度为5nm的Ti薄膜。

8.权利要求1中所述上电极(7)为厚度为200nm的TiN或钨。

9.权利要求1中所述减小擦除功率和缩短写入脉冲的时间是通过加入的导热层(5)来实现的。