[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010147605.5 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222616A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 韩锴;王文武;王晓磊;陈世杰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
提供半导体衬底；
在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；
在所述栅电极上形成金属氧吸除层；
对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氧吸除层从包含下列元素的组中选择元素来形成：Al、Be、La和Y。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氧吸除层的厚度为1-5nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述热退火处理的温度为300-1000℃。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述热退火处理的时间为1-300s。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅介质层从包含下列元素的组中选择元素来形成：HfO2、HfSiOx、HfZrOx、HfLaOx、HfLaONx和La2O3及其组合。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅电极从包含下列元素的组中选择元素来形成：HfN、TiN、TaN、MoN、TiAlN、MoAlN、HfCNx、HfC、TiC、TaC、Ru、Re、Pt、RuO2、TaRux、HfRu及其组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氧吸除层通过沉积或共溅射方式形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010147605.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
