[发明专利]电平转换电路无效
申请号: | 201010144073.X | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN102208910A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 单毅 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 转换 电路 | ||
1.一种电平转换电路,用于将高电平的输入信号转换成低电平的输出信号,其特征在于,包括:
高电平线、低电平线以及地线;
整形电路,耦合于高电平线与地线之间,包括偶数级串接的反相器单元;
输出电路,耦合于低电平线与地线之间,包括偶数级串接的反相器单元,其中第一级反相器单元包括第一NMOS以及第二NMOS;所述第一NMOS的漏极连接至低电平线,栅极连接至整形电路的最后级反相器单元的输入端;所述第二NMOS的源极连接至地线,栅极连接至整形电路的最后级反相器单元的输出端;所述第一NMOS的源极与第二NMOS的漏极连接至输出电路下一级反相器单元的输入端。
2.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述整形电路的反相器单元均为CMOS反相器,高位端均连接至高电平线,低位端均连接至地线。
3.如权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述CMOS反相器中的MOS晶体管均为厚栅型晶体管。
4.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述输出电路除第一级以外的反相器单元均为CMOS反相器,高位端均连接至低电平线,低位端均连接至地线。
5.如权利要求4所述的电平转换电路,其特征在于,所述CMOS反相器中的MOS晶体管均为薄栅型晶体管。
6.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一NMOS以及第二NMOS均为厚栅型晶体管。
7.如权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一NMOS与第二NMOS的规格相同。
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