[发明专利]电平转换电路无效

专利信息
申请号: 201010144073.X 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN102208910A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 单毅 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换电路,用于将高电平的输入信号转换成低电平的输出信号,其特征在于,包括:

高电平线、低电平线以及地线;

整形电路,耦合于高电平线与地线之间,包括偶数级串接的反相器单元;

输出电路,耦合于低电平线与地线之间,包括偶数级串接的反相器单元,其中第一级反相器单元包括第一NMOS以及第二NMOS;所述第一NMOS的漏极连接至低电平线,栅极连接至整形电路的最后级反相器单元的输入端;所述第二NMOS的源极连接至地线,栅极连接至整形电路的最后级反相器单元的输出端;所述第一NMOS的源极与第二NMOS的漏极连接至输出电路下一级反相器单元的输入端。

2.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述整形电路的反相器单元均为CMOS反相器,高位端均连接至高电平线,低位端均连接至地线。

3.如权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述CMOS反相器中的MOS晶体管均为厚栅型晶体管。

4.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述输出电路除第一级以外的反相器单元均为CMOS反相器,高位端均连接至低电平线,低位端均连接至地线。

5.如权利要求4所述的电平转换电路,其特征在于,所述CMOS反相器中的MOS晶体管均为薄栅型晶体管。

6.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一NMOS以及第二NMOS均为厚栅型晶体管。

7.如权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,所述第一NMOS与第二NMOS的规格相同。

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