[发明专利]发光二极管外延结构

权利要求书

1.发光二极管外延结构，其特征在于：包括

采用金刚石材料制成的金刚石衬底层；

设于所述金刚石衬底层上的氮化镓缓冲层；

设于所述氮化镓缓冲层上的半导体层，所述半导体层包括N型氮化镓半导体层、发光层以及P型氮化镓半导体层，所述发光层位于所述N型氮化镓半导体层与P型氮化镓半导体层之间；

第一电极，所述第一电极电连接N型氮化镓半导体层；

第二电极，所述第二电极电连接P型氮化镓半导体层。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述金刚石衬底层的厚度为50-200μm。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述发光层为铟镓氮/氮化镓量子阱发光层。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述发光二极管外延结构还包括第一透明导电层，所述第一电极通过所述第一透明导电层电连接所述N型氮化镓半导体层。

5.如权利要求4所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述发光二极管外延结构还包括第二透明导电层，所述第二电极通过所述第二透明导电层电连接所述P型氮化镓半导体层。

6.如权力要求4或5所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层均为由硅原子层、镍原子层、铍原子层和金原子层依次叠加生长的硅/镍/铍/金透明导电层。