[发明专利]一种纳米压印硬模板的制备方法无效
申请号: | 201010136265.6 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN101806996A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 孙堂友;徐智谋;刘文;邱飞;陈志伟 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 压印 模板 制备 方法 | ||
1.一种纳米压印硬模板的制备方法,包括如下步骤:
(1)制备多孔阳极氧化铝AAO模板;
(2)在上述模板表面镀膜;
(3)制备衬底:在洁净的硅或石英表面旋涂一层光刻胶或热压胶,形成由硅基或石英基底和光刻胶或热压胶组成的衬底;
(4)将上述镀膜后的模板和衬底进行纳米压印;
(5)脱模:将上述压印处理后的模板与衬底分离,从而在所述衬底的光刻胶或热压胶上形成所述多孔阳极氧化铝AAO模板的互补图形;
(6)反应离子束蚀刻(RIE),将上述互补图形转移到硅或石英基底上;
(7)将步骤(6)所得的硅基底或石英基底经去胶、清洗、烘干处理,即得到硅基或石英基硬模板。
2.根据权利要求1所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,所述多孔阳极氧化铝AAO模板是在0.1~0.5mol/L的草酸溶液中采用两步电化学阳极氧化法制备的,其中阳极电压为40~50V,温度为0~15℃,第一步氧化时间为2小时,第二步氧化时间为3~5分钟,经两步氧化后再在质量浓度为5%的H3PO4中进行扩孔处理,即得到所需的模板。
3.根据权利要求2所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,所述多孔阳极氧化铝AAO模板中孔的尺寸可调。
4.根据权利要求3所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,所述孔的尺寸指孔径、孔间距和孔深度。
5.根据权利要求1-4之一所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,所述的镀膜具体过程为:在一个标准大气压和常温条件下,将所述多孔阳极氧化铝AAO模板在全氟辛基-三氯硅烷的蒸汽气氛中蒸镀80~100分钟,然后在100℃条件下烘烤13~15分钟,使得在模板表面形成一层致密的有机分子层。
6.根据权利要求1-5之一所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,上述步骤(4)中的纳米压印为紫外纳米压印或热纳米压印。
7.根据权利要求6所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,所述的紫外光从石英基底或镀膜后的模板上方正入射,紫外光强为80mw/cm2,曝光时间10~13分钟。
8.根据权利要求1-7之一所述的一种纳米压印硬模板的制备方法,其特征在于,上述步骤(6)中,共进行两次反应离子束蚀刻(RIE),其中所述反应离子束蚀刻(RIE)以印有所述互补图形的光刻胶或热压胶为掩模。
9.一种利用权利要求1-8之一所述的方法制备的纳米压印硬模板。
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