[发明专利]保护用晶片

说明书

本申请是申请号为200610132097.7、申请日为2006年10月24日、发明名称为“反应腔室的清洁方法及保护膜的形成方法及保护用晶片”的发明专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种半导体机器的清洁方法，且特别是涉及一种反应腔室的清洁方法。

背景技术

在半导体工艺中，不论是进行沉积工艺或是进行蚀刻工艺，在经过一段时间的重复操作之后，在半导体机器的反应腔室的内表面会产生污染性微粒。如果不对反应腔室进行清洁，则在反应腔室中后续处理的晶片将会受到污染，而将低产品的成品率。因此，会定期对反应腔室进行清洁。

目前，现有对于反应腔室的清洁方法主要分为两步骤，第一步骤是以NF₃作为清洁气体，在反应腔室中产生等离子体以除去反应腔室的内表面上的污染性微粒。第二步骤是在反应腔室内表面形成材料为氧化物的保护膜(season film)。

然而，保护膜也会同时形成在反应腔室中用以承载晶片的静电吸座(E-chuck)上。因此，静电吸座上的保护膜会黏附在后续所要处理的晶片背面，而黏附在晶片背面的保护膜会在后续工艺中脱落而造成污染。如此一来，将会降低产品的成品率及产出。

现有技术中有一种避免保护膜沉积在静电吸座上的方法，是在静电吸座上覆盖陶瓷晶片。但是在沉积保护膜时，陶瓷晶片会因为高热而破裂。于是，现有技术为解决此问题，会在静电吸座中通入氦气，氦气经由静电吸座的出气孔排出，以降低陶瓷晶片的温度。然而，出气孔所排出的氦气常会使得陶瓷晶片受力不均，而造成陶瓷晶片一端被氦气吹高，一端与静电吸座接触。静电吸座与陶瓷晶片接触的部分，会因高温而在静电吸座上产生黑色异常粉 末，造成静电吸座的损耗。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种反应腔室的清洁方法，可避免保护膜黏附于后续所要处理的晶片背面。

本发明的另一目的是提供一种保护用晶片，能防止保护膜沉积在晶片承载座上。

本发明的再一目的是提供一种保护膜的形成方法，更能有效地防止在晶片承载座上形成保护膜。

本发明提出一种反应腔室的清洁方法，于反应腔室中具有晶片承载座，清洁方法为先利用清洁气体对反应腔室进行清洁。接着，于反应腔室的内表面形成保护膜。其中，在形成保护膜时，于晶片承载座上方提供保护用晶片，且保护用晶片与晶片承载座之间具有一距离，同时于保护用晶片与晶片承载座之间通入冷却气体。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，使保护用晶片与晶片承载座之间具有一距离的方法例如是于晶片承载座上提供多个支撑针(pin)，以支撑保护用晶片。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，例如是由晶片承载座提供冷却气体。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，冷却气体例如是氦气。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，晶片承载座例如是静电吸座。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，晶片承载座的材料例如是陶瓷材料。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，保护用晶片的材料例如是陶瓷材料。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，保护用晶片包括第一遮蔽体，用以遮蔽晶片承载座的晶片承载面。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，第一遮蔽体例如是一圆板。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，保护用晶片更包括连接于第一遮蔽体周围的第二遮蔽体，用以遮蔽连接于晶片承载面周围的侧面。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，第二遮蔽体例如是环状侧壁。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，保护膜的材料例如是氧化物。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，保护膜的形成方法例如是化学气相沉积法。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，清洁气体例如是NF₃。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，反应腔室例如是化学气相沉积腔室。

依照本发明的一优选实施例所述，在上述的反应腔室的清洁方法中，反应腔室例如是干蚀刻腔室。