[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年3月16日提交的韩国专利申请10-2009-0022086的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

实施方案涉及一种发光器件。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性所以已经广泛用作发光器件例如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括组成式为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、和0≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是通过利用化合物半导体的特性将电信号转化为红外线或者光来发出/接收信号的半导体器件。LED也用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD用作光源，用于各种产品，例如移动电话的小键盘发光部分、电子指示牌和照明装置。

发明内容

实施方案提供一种发光器件及其制造方法，其中可防止半导体层免受在分离衬底时由激光束所施加的能量。

实施方案提供一种发光器件及其制造方法，其中在衬底和半导体层之间可形成带隙低于所述半导体层的带隙的氧化物层。

一个实施方案提供一种发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层、以及在所述有源层下的第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述化合物半导体层上的电极；在所述化合物半导体层上部的凹槽；和在所述化合物半导体层下的电极层。

一个实施方案提供一种发光器件，包括：包括第一N型半导体层、在所述第一N型半导体层下的有源层、以及在所述有源层下的P型半导体层的多个化合物半导体层；与所述第一N型半导体层连接的电极；在所述第一N型半导体层的上部的凹槽；和在所述化合物半导体层下的电极层。

一个实施方案提供一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上形成彼此间隔开第一间隔并且具有第一带隙的氧化层；在衬底上形成具有高于第一带隙的第二带隙的多个化合物半导体层；在化合物半导体层上形成电极层；通过对衬底辐照激光束来分离衬底；在分离衬底之后，蚀刻化合物半导体层；和沿蚀刻区域将电极层分为芯片尺寸。

一个或更多个实施方案的细节将在附图和以下的说明中进行阐述。其它特征将通过说明书和附图以及权利要求书而变得明显。

附图说明

图1～15是显示制造根据第一实施方案的发光器件的工艺的视图；

图16是显示根据第二实施方案的发光器件的侧视截面图；

图17是显示根据第三实施方案的发光器件的侧视截面图；

图18是显示根据第四实施方案的发光器件的侧视截面图；

图19是显示根据第五实施方案的发光器件的侧视截面图；

图20是显示根据第六实施方案的发光器件封装的侧视截面图；

图21是显示根据一个实施方案的照明单元的视图；和

图22是显示根据实施方案的背光单元的视图。

具体实施方式

在实施方案的描述中，应理解：当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或者“间接地”在所述另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上或下，或也可存在一个或更多个中间层。层的这种位置参考附图进行描述。为了方便和清楚的目的，附图中显示的各层的厚度和尺寸可以放大、省略或者示意地绘出。此外，要素的尺寸并不绝对地反映实际尺寸。

图1～15是显示根据第一实施方案的发光器件100的制造工艺的视图。

参考图1，在衬底101上形成掩模层102。

衬底101可包括选自蓝宝石衬底(Al₂O₃)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、GaAs和Ga₂O₃中的材料。在衬底101上可形成凹凸结构，但是实施方案不限于此。

掩模层102包括SiO₂、SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y，并且形成为具有预定厚度。掩模层102中形成有多个孔103。孔103在衬底101上间隔开距离D1。

孔103之间的距离可为芯片尺寸或者更小。孔103可形成为对应于芯片的沟道区。孔103可具有矩阵形式。沟道包围各个芯片同时形成芯片之间的边界。