[发明专利]一种存储器读操作功能的仿真验证方法

说明书

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别是涉及一种存储器读操作功能的仿真验证方法。

背景技术

在开发、设计和调试存储器的过程中，需要对存储器的功能进行仿真验证。针对存储器功能的仿真验证可以采用能够代替实际存储器硬件功能的行为模型(即虚拟存储器)来进行，具体可以通过生成测试代码(testbench)，使用仿真软件(如NC_verilog软件或modelsim软件)来实现。

对于这种虚拟存储器功能的仿真验证，实质上与实际存储器的仿真验证并无二致。以对某个虚拟闪存(Flash Memory)进行读操作的仿真验证为例，目前闪存的读操作方式主要包括：1)Read data(单通道读取方式)；2)Fast read(快速读取方式)；3)Dual output fast read(双输出快速读取方式)三种，在仿真验证时，需要预先设置读操作模式控制位，然后基于相应的读操作模式控制位预定值的定义：Normal Mode和DualSPI Mode，写入对应读操作方式的指令代码，通过执行所述指令代码进行相应读操作方式的功能验证。

即对于三种读操作方式的全面验证而言，可以包括如下步骤：

步骤S1、取读操作模式控制位默认值DSPI_LOCK＝1，DREAD_LOCK＝0，在这种设置下，在Normal Mode下，采用Dual outputfast read读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；

步骤S2、将读操作模式控制位更改为DSPI_LOCK＝1，DREAD_LOCK＝1，在这种设置下，在Normal Mode下，采用Read data读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；

步骤S3、将读操作模式控制位更改为DSPI_LOCK＝0，DREAD_LOCK＝1，在这种设置下，在Dual SPI Mode下，采用Fast read读操作方式对Flash Memory进行仿真验证；

在上述读操作模式控制位更改的过程中，读操作模式控制位会经历从0到1的变换，由于闪存具有只能在擦除成功状态下写入的特性，因而在上述写入11(步骤S2)的过程中，必须先擦除在先读操作模式控制位10才能写入。除上述示例，无论采用何种验证读操作方式的顺序，都会涉及将读操作模式控制位从0到1的更改操作，即每一次全面验证的过程必须经过至少一次读操作模式控制位的擦除操作，从而影响存储器读操作功能验证的效率。

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新地提出一种存储器读操作功能的仿真验证机制，在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器读操作功能的仿真验证时间，提高虚拟存储器的仿真验证效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器读操作功能的仿真验证方法，用以在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器功能的仿真验证的时间，提高采用虚拟存储器的仿真验证效率。

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种存储器读操作功能的仿真验证方法，包括：

获取仿真存储器，所述仿真存储器具有设置读操作模式的控制位；

读取所述读操作模式控制位的默认值，采用针对该读操作模式控制位预设的第一读操作方式，对所述存储器进行仿真验证，所述默认值为表示存储单元已擦除状态的逻辑值；

将所述读操作模式控制位逐位更改为表示存储单元编程状态的逻辑值，并针对每次更改后的读操作模式控制位，分别采用对应的其它读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。

优选的，所述读操作模式控制位的默认值11，所述逐位更改读操作模式控制位的步骤包括：

将所述读操作模式控制位更改为10或者01，采用针对该读操作模式控制位预设的第二读操作方式，对所述存储器进行仿真验证；

将所述读操作模式控制位更改为00，采用针对该读操作模式控制位预设的第三读操作方式，对所述存储器进行仿真验证。

优选的，所述读操作模式控制位的默认值11对应于原始读操作模式控制位10，所述第一读操作方式为普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dual output fast read；

所述读操作模式控制位10、01分别对应于原始读操作模式控制位11、00，所述第二读操作方式为普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data；

所述读操作模式控制位00对应于原始读操作模式控制位01，所述第三读操作方式为双通道模式Dual SPI mode下的快速读取方式Fast read。