[发明专利]一种存储器读操作功能的仿真验证方法有效

专利信息
申请号: 201010132117.7 申请日: 2010-03-24
公开(公告)号: CN102200926A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 舒清明;涂美红;胡洪 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技有限公司
主分类号: G06F9/455 分类号: G06F9/455;G06F11/36
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 操作 功能 仿真 验证 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器读操作功能的仿真验证方法,其特征在于,包括:

获取仿真存储器,所述仿真存储器具有设置读操作模式的控制位;

读取所述读操作模式控制位的默认值,采用针对该读操作模式控制位预设的第一读操作方式,对所述存储器进行仿真验证,所述默认值为表示存储单元已擦除状态的逻辑值;

将所述读操作模式控制位逐位更改为表示存储单元编程状态的逻辑值,并针对每次更改后的读操作模式控制位,分别采用对应的其它读操作方式,对所述存储器进行仿真验证。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读操作模式控制位的默认值11,所述逐位更改读操作模式控制位的步骤包括:

将所述读操作模式控制位更改为10或者01,采用针对该读操作模式控制位预设的第二读操作方式,对所述存储器进行仿真验证;

将所述读操作模式控制位更改为00,采用针对该读操作模式控制位预设的第三读操作方式,对所述存储器进行仿真验证。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述读操作模式控制位的默认值11对应于原始读操作模式控制位10,所述第一读操作方式为普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dual output fast read;

所述读操作模式控制位10、01分别对应于原始读操作模式控制位11、00,所述第二读操作方式为普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data;

所述读操作模式控制位00对应于原始读操作模式控制位01,所述第三读操作方式为双通道模式Dual SPI mode下的快速读取方式Fast read。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,通过加载指令代码3Bh,对存储器采用普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dualoutput fast read进行仿真验证;

通过加载指令代码03h,对存储器采用普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data进行仿真验证;

进入双通道模式Dual SPI mode后,通过加载指令代码0Bh,对存储器采用快速读取方式Fast read进行仿真验证。

5.如权利要求2、3或4所述的方法,其特征在于,写入第一读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为10,或者,写入第二读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为01;写入第三读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为00。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述写入数据的步骤包括:

将欲写入数据中为0的数据位,与读出数据中的相应数据位进行比较;

若读出数据中的相应数据位为1,则写0;若读出数据中的相应数据位为0,则保持不变。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读操作模式控制位的默认值11对应于原始读操作模式控制位01,所述第一读操作方式为双通道模式Dual SPI mode下的快速读取方式Fast read;

所述读操作模式控制位01、10分别对应于原始读操作模式控制位11、00,所述第二读操作方式为普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data;

所述读操作模式控制位00对应于原始读操作模式控制位10,所述第三读操作方式为普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dualoutput fast read。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,进入双通道模式Dual SPImode后,通过加载指令代码0Bh,对存储器采用快速读取方式Fast read进行仿真验证;

通过加载指令代码03h,对存储器采用普通模式Normal mode下的单通道读取方式Read data进行仿真验证;

通过加载指令代码3Bh,对存储器采用普通模式Normal mode下的双输出快速读取方式Dual output fast read进行仿真验证。

9.如权利要求7或8所述的方法,其特征在于,写入第一读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为10,或者,写入第二读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为01;写入第三读操作参数控制字,将所述读操作模式控制位更改为00。

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