[发明专利]有机EL面板及面板接合型发光装置无效
申请号: | 201010129694.0 | 申请日: | 2010-03-08 |
公开(公告)号: | CN102034848A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 原善一郎;切通聪;长江伟;奥村贵典;山崎新太郎;齐藤丰;斋藤雄司;佐藤宏幸;佐藤阳介;木村政美;菅原淳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社;日本东北先锋公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/33 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 苏卉;车文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 面板 接合 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机EL面板及面板接合型发光装置。
背景技术
公知有如下透光式发光面板:在基板的一侧的面上配置发光元件,使该发光元件的光射出方向朝向基板的另一面侧,由此使从发光元件射出的光通过由透光性材料形成的基板辐射到外部。被称为底部发射方式的有机EL面板是其一例,将含有透明电极和发光层的有机层与金属电极依次层压在基板的一侧而形成有机EL元件,将从有机EL元件射出的光通过基板辐射到外部。
图1是说明这种透光式发光面板的问题点的说明图。在透光式发光面板中,如图1(a)所示,因为从发光元件J2射出的光通过各种路径透过基板J1,所以相对于从基板J1的前面射出而直接进入视野的光(图示的光线L1或者光线L2)根据在基板J1的端面J1a进行反射或者透过基板J1的端面J1a等而通过不同的路径而进入视野的杂散光(图示的光线L1s或者光线L2s)成为问题,在作为显示装置来使用时,有时该杂散光使显示质量显著降低。
作为这种透光式发光面板的杂散光抑制对策,如图1(b)所示,可以举出将基板J1的端面J1a设为吸光性或非透光性的例子。具体地,将端面J1a染色成黑色而设为吸光性或者使吸光性或非透光性的部件S与端面J1a接触,由此防止从发光元件J2射出并到达端面J1a的光辐射到外部。
另一方面,以平面铺满并接合多个透光式发光面板而形成大型的面板(瓦面板)时,产生如下的不良状况,即由在如上所述的每个透光式发光面板中的基板端面处的杂散光强调了面板的接缝。对此,可以采取如下的处理方法,即在每个透光式发光面板的间隙填充折射率接近基板的材料、或者在该间隙填充吸光性或非透光性材料、或者如上所述地将每个透光式发光面板的端面设为吸光性。
在下面的专利文献1中记载有如下内容:当接合具备EL元件的多个面板而得到可照射大面积的照明装置时,通过使相邻的面板的基板端面之间相对,并在该端面间配置光散射机构,抑制相邻的面板间的接缝部分变暗而被强调等。
专利文献1:日本专利公开2005-183352号公报
将有机EL面板之类的透光式发光面板用作显示面板时,作为上述的杂散光对策,若将基板的端面设为吸光性或者使吸光性或非透光性部件与基板的端面接触,则在透光式发光面板的显示画面上产生与基板厚度对应的不可见区域并产生显示画面的一部分缺失的不良状况。
图2是说明上述的不可见区域的产生的说明图。如图2(a)所示,在使吸光性或非透光性部件S与基板J1的端面J1a接触的部件中,设相对于基板J1的表面的法线为L0,以与法线L0所成的角θout从基板J1的外部识别显示画面P时,基板J1内的识别方向成为与法线L0形成的角θin的方向,斯乃尔(snell)法则nout·sinθout=nin·θin(nout:基板J1的外部的折射率、nin:基板J1的内部的折射率)成立。此时,对应于基板J1的厚度d的不可见区域是比以θout的角度观察基板J1的表面的端部J1e时实际可看到的显示画面上(基板J1的里面上)的位置T靠外侧的区域(斜线部),当显示画面P存在于位置T的外侧时,显示画面P中的比位置T更靠外侧的部分f成为显示画面的缺失。
实际的基板J1内部的折射率nin在玻璃基板为大致1.5左右,若设基板J1外部为空气,则折射率nout为1。此时如图2(b)所示,若考虑在最大视场θout=90°时,θin等于全反射临界角θc,成为θin=sin-1{(nout/nin)·sin90°}=sin-1(1/1.5)·1=41.8°≡θc。若将基板J1的厚度设为d,将从基板J1的端面J1a至显示画面P的距离(框边宽)设为w,则如图2(b)所示,在t0=d·tan θc≤w的关系时,原理上不会产生显示画面的缺失。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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