[发明专利]固态摄像装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及固态摄像装置的制造方法。

背景技术

在混装了逻辑电路的CMOS图像传感器中，构成其逻辑部分的晶体管的栅电极的栅长度被最小型化。

在假设上述晶体管的小型化水平是用CMOSLSI的装入图(loadmap)定义的90nm世代以前的水平的情况下，一般无需形成偏移间隔层(offset spacer)就可以形成具有期望特性的晶体管。上述偏移间隔层形成于栅电极的侧壁上，用于调整在平面布局图上看时晶体管的源-漏延伸部分与栅电极的重合长度(ΔL)。

但是，为了使用现在实际应用的离子注入装置或热处理法，在固态摄像装置上混装90nm世代以后的晶体管，需要在形成偏移间隔层后进行用于形成源-漏延伸区域的离子注入。

作为现有例，可举出以下两个例子：

(1)组合了90nm世代以前的CMOS逻辑的制造工艺和不使用偏移间隔层的制造工艺的制造工艺；

(2)组合了90nm世代以后的CMOS逻辑的制造工艺和使用了偏移间隔层的制造工艺的制造工艺。

上述(2)的制造工艺是如下的制造工艺：如图14所示，不区分逻辑电路部114的晶体管的栅电极110、外围(I/O)电路和像素部112的晶体管的栅电极120，而是针对所有的栅电极110、120形成偏移间隔层131。

无论在哪种情况下，都会在要形成像素晶体管、特别是像素晶体管的放大晶体管的源-漏区域的硅基板上，在形成偏移间隔层的蚀刻时产生损伤。如果产生了这样的蚀刻损伤，则放大晶体管的噪声增大。另外，如果在要形成光电转换部的硅基板上产生上述蚀刻损伤，则会成为白点增加的原因。

另外，与上述(2)的技术类似，作为形成在栅电极侧壁上的绝缘膜，包括为了在形成源-漏区域时使用而形成的侧壁绝缘膜。在形成该侧壁绝缘膜时，在光电转换部(例如光电二极管)上残留用于形成侧壁绝缘膜的绝缘膜的技术已经被公开(例如参照专利文献1)。这种技术的情况下，在光电转换部上残留用于形成侧壁绝缘膜的绝缘膜是为了不会由于在形成了源-漏区域后进行的硅化技术而在光电转换部上形成硅化物。

专利文献1：日本特开2006-210583号公报

发明内容

本发明所要解决的问题是，在要形成像素晶体管的源-漏区域、光电转换部和浮动扩散部的硅基板上，在形成偏移间隔层的蚀刻时会产生损伤。

本发明能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤，抑制像素晶体管的噪声的产生，抑制光电转换部的白点的产生或者由于浮动扩散部的缺陷而导致的白点的产生。

本发明提供一种固态摄像装置的制造方法，该固态摄像装置在半导体基板上具有：光电转换部，对入射光进行光电转换并输出信号电荷；像素晶体管部，经由浮动扩散部输入从上述光电转换部读出的信号电荷并在放大后输出；以及逻辑电路部，对从上述像素晶体管部输出的信号电荷进行处理，上述制造方法包括以下步骤：在上述半导体基板上形成覆盖经由第1栅绝缘膜形成的上述逻辑电路部的晶体管的第1栅电极、经由第2栅绝缘膜形成的上述像素晶体管部的第2栅电极、上述浮动扩散部和上述光电转换部的第1绝缘膜后，在掩蔽上述光电转换部、上述像素晶体管部和上述浮动扩散部的状态下，对上述第1绝缘膜进行回蚀，从而在上述第1栅电极的侧壁上形成偏移间隔层。

在本发明的固态摄像装置的制造方法中，对逻辑电路部的晶体管形成了偏移间隔层。此时，在掩蔽光电转换部、像素晶体管部和浮动扩散部的状态下，在第1栅电极的侧壁上形成偏移间隔层，因此，在形成了光电转换部、像素晶体管部和浮动扩散部的半导体基板上不会形成作为蚀刻损伤的表面缺陷。从而抑制了由于各区域中的缺陷而导致的白点的产生。

另外，在掩蔽浮动扩散部而对第1绝缘膜进行回蚀的情况下，可以在浮动扩散部上残留绝缘膜，同时可以抑制传送栅侧壁的第1绝缘膜的膜厚的减小。由此可以增大传送栅与浮动扩散部的杂质掺杂层之间的距离，限制由于栅电极端部上的电场引起的结漏电流。可以减少由于蚀刻损伤导致的缺陷，并且通过该漏电流抑制效果抑制白点的产生。

本发明的固态摄像装置的制造方法没有使由于缺陷导致的噪声或白点增加，因此具有可以实现高画质摄影的优点。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的固态摄像装置的制造方法的第1例的制造工序剖面图。

图2是示出本发明的实施方式的固态摄像装置的制造方法的第1例的制造工序剖面图。

图3是示出本发明的实施方式的固态摄像装置的制造方法的第1例的制造工序剖面图。