[发明专利]金属氧化物细粒、硅树脂组合物及其用途无效

专利信息
申请号: 201010125613.X 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN101818001A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 藤井春华;尾崎孝志;片山博之 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09C3/12 分类号: C09C3/12;C09C1/00;C09C1/36;C09C1/04;C09C1/28;C09C1/40;C08G77/04;C08K9/06;C08K3/22;H01L33/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨海荣;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属 氧化物 细粒 硅树脂 组合 及其 用途
【权利要求书】:

1.一种金属氧化物细粒,其经含有硅化合物的表面处理剂处理,所述硅化合物具有碳原子数2~20的烯基。

2.根据权利要求1的金属氧化物细粒,其中所述具有碳原子数2~20的烯基的硅化合物是式(I)表示的化合物:

其中R1表示碳原子数2~20的烯基,X表示烷氧基、芳氧基、环烷氧基、卤素原子或乙酰氧基,条件是所有X可以相同或不同。

3.根据权利要求1的金属氧化物细粒,其中所述具有碳原子数2~20的烯基的硅化合物是式(II)表示的化合物:

其中X表示烷氧基、芳氧基、环烷氧基、卤素原子或乙酰氧基,n表示1~100的整数,条件是所有X可以相同或不同。

4.根据权利要求2的金属氧化物细粒,其中待表面处理的金属氧化物细粒是由选自氧化锆、二氧化钛、氧化锌、二氧化硅和氧化铝中的至少一种构成的细粒。

5.根据权利要求3的金属氧化物细粒,其中待表面处理的金属氧化物细粒是由选自氧化锆、二氧化钛、氧化锌、二氧化硅和氧化铝中的至少一种构成的细粒。

6.根据权利要求2的金属氧化物细粒,其中表面处理后的金属氧化物细粒具有1~100nm的平均粒径。

7.根据权利要求3的金属氧化物细粒,其中表面处理后的金属氧化物细粒具有1~100nm的平均粒径。

8.一种硅树脂组合物,其通过使根据权利要求2的金属氧化物细粒与有机氢硅氧烷反应而获得。

9.一种硅树脂组合物,其通过使根据权利要求3的金属氧化物细粒与有机氢硅氧烷反应而获得。

10.根据权利要求8的硅树脂组合物,其中所述有机氢硅氧烷是选自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一种:

其中A、B和C为构成单元,其中A表示末端单元,B和C表示重复单元,R2表示一价烃基,a表示0或者1以上的整数,b表示2以上的整数,条件是所有R2可以相同或不同,

其中R3表示一价烃基,c表示0或者1以上的整数,条件是所有R3可以相同或不同。

11.根据权利要求9的硅树脂组合物,其中所述有机氢硅氧烷是选自式(III)表示的化合物和式(IV)表示的化合物中的至少一种:

其中A、B和C为构成单元,其中A表示末端单元,B和C表示重复单元,R2表示一价烃基,a表示0或者1以上的整数,b表示2以上的整数,条件是所有R2可以相同或不同,

其中R3表示一价烃基,c表示0或者1以上的整数,条件是所有R3可以相同或不同。

12.一种光半导体元件封装材料,其包含根据权利要求8的硅树脂组合物。

13.一种光半导体元件封装材料,其包含根据权利要求9的硅树脂组合物。

14.一种光半导体装置,其包含用根据权利要求8的硅树脂组合物封装的光半导体元件。

15.一种光半导体装置,其包含用根据权利要求9的硅树脂组合物封装的光半导体元件。

16.一种光半导体装置,其包含用根据权利要求12的光半导体元件封装材料封装的光半导体元件。

17.一种光半导体装置,其包含用根据权利要求13的光半导体元件封装材料封装的光半导体元件。

18.根据权利要求1的金属氧化物细粒,其中待表面处理的金属氧化物细粒是由选自氧化锆、二氧化钛、氧化锌、二氧化硅和氧化铝中的至少一种构成的细粒。

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