[发明专利]一种IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路有效
申请号: | 201010116319.2 | 申请日: | 2010-03-02 |
公开(公告)号: | CN101741078A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 石泉 | 申请(专利权)人: | 南京亚派科技实业有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 郭百涛 |
地址: | 211131 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 驱动 电压 压欠压 保护 锁定 电路 | ||
1.一种IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路,包括有2个稳压管、6个电阻和5个三极 管,其特征在于所述的2个稳压管中一个16V的稳压管DZ1串接在VCC上,阳极接地,稳压 管DZ1的阴极再并联一个13.3V的稳压管DZ2,稳压管DZ2的阳极串联一个1K电阻R1后接 到NPN三极管T1的基极,T1的集电极串联一个10K电阻R2后接到VCC上,同时T1的集电 极输出串联一个2K电阻R3后再接到NPN三极管T2的基极,T2的集电极串联一个10K电阻 R4后接到VCC上,同时T2的集电极输出连接一个推挽电路的输入端,推挽电路的输出端串联 一个20K电阻R6后接到NPN三极管T5集电极,并与PWM信号输出端连接,T5的基极串联一 个10K电阻R5后与PWM信号输入端连接,T1、T2、和T5的发射极均接地。
2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路,其特征在于所述的推挽 电路由一个NPN三极管T3和一个PNP三极管T4串联组成,T3和T4的基极与T2的集电极连 接,T3的集电极接到VCC上,T4的集电极接地,T3和T4的发射极均与R6连接。
3.根据权利要求1所述的IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路,其特征在于所述的稳压 管DZ1采用2-5个串联的稳压管替代。
4.根据权利要求1所述的IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路,其特征在于所述的稳压 管DZ2采用2-5个串联的稳压管替代。
5.根据权利要求1所述的IGBT驱动电压的过压欠压保护锁定电路,其特征在于所述的稳压 管DZ1的钳位电压为17V,所述的稳压管DZ2的钳位电压为14.3V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京亚派科技实业有限公司,未经南京亚派科技实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010116319.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双金属包覆方法
- 下一篇:用于高性能锂离子电池负极的硅/碳复合材料的制备方法