[发明专利]有机电致发光显示装置有效
| 申请号: | 201010113444.8 | 申请日: | 2010-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN101800241A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 森裕行;细田英正;疋田政宪 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54;H01L21/84;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光显示装置。
背景技术
有机电致发光显示装置(有机EL显示装置)是自发光型显示装置,并 且用于显示和照明。与常规的CRT和LCD相比,有机EL显示器具有可 见度高并且没有视角依赖性的这些显示性能的优点,并且还具有显示装置 可以变得更轻和更薄的优点。同时,有机EL照明除能够实现更轻和更薄 的装置以外,还具有通过使用挠性基板实现具有迄今还未实现的形状的照 明器材的可能性的优点。
有机电致发光显示装置具有如上所述的优良特性,但是包括发光层在 内的构成显示装置的各层的折射率高于空气的折射率。例如,在有机电致 发光显示装置中,有机薄膜层如发光层具有1.6至2.1的折射率。因此, 发射光容易在界面全反射,并且光提取效率小于20%。因此,大部分光损 失。
作为提高光提取效率的对策,例如,提出了下列方法:其中安置透明 层以邻近在光提取表面侧的透明电极和与在透明层的光提取表面附近或 在透明层内部的显著地引起光的反射和散射角干扰的区域的方法(例如,参 见日本专利申请公开(JP-A)2004-296429);其中在从发光层发射的光从有机 物质层传播到光透射性绝缘层的光程上,安置细粒分散在基材中的细粒分 散层的方法(例如,参见日本专利申请公开(JP-A)2006-107744);在防止有 机EL元件的界面全反射的位置形成衍射光栅或波带片的方法(例如,参见 日本专利(JP-B)2991183);以及其中在光透射性基板和光透射性电极之间 安置光学单元,所述光学单元被构造使得在光在光透射性基板和光透射性 电极之间的界面全反射的角度范围内,在光透射性电极上的至少一部分入 射光被散射和/或衍射而通过光透射性基板出去,而进入光透射性基板和光 透射性电极的入射光被弱散射和/或透射而通过光透射性基板出去的方法 (例如,参见日本专利申请公开(JP-A)2006-54197)。
然而,在JP-A2004-296429公开的方法中,为了提高光散射效率,必 需使引起光反射和散射角的干扰的区域的厚度变厚,因此难以在该区域内 产生孔,从而不能将该方法用于有机电致发光显示装置。
在JP-A2006-107744公开的方法中,细粒分散层具有薄的厚度,并且 其中所含的细粒具有大的直径,因此导致差的光散射效率,并且细粒容易 聚集,从而在细粒分散层的表面中导致大尺寸凹部/凸部,这导致图像渗出 和图像模糊的发生。而且,在JP-A2006-107744中公开的方法具有制备过 程复杂的问题。
在JP-B2991183和JP-A2006-54197中公开的方法引起光提取效率仍 然不足的问题。
发明内容
本发明旨在解决相关技术中的上述问题并且旨在达到下列目的。具体 地,本发明的一个目的是提供一种能够提高光提取效率并且减少图像渗出 的有机电致发光显示装置。
用于解决上述问题的手段如下:
<1>一种有机电致发光显示装置,所述有机电致发光显示装置包括:
有机电致发光元件,所述有机电致发光元件包括透明电极、对电极和 被安置在所述透明电极和所述对电极之间的有机化合物层,所述有机化合 物层包括发光层,和
含细粒层,所述含细粒层被布置在从所述发光层发射的光的光程上并 且与所述透明电极相邻,
其中所述含细粒层含有有机树脂材料和细粒,所述有机树脂材料的折 射率等于或低于所述透明电极的折射率,所述细粒的折射率高于所述有机 树脂材料的折射率并且重量平均粒径为0.5μm至5μm,并且所述含细粒 层的厚度为2μm至10μm。
在根据<1>所述的有机电致发光显示装置中,当光通过含细粒层时, 从发光层发射的光被散射。
<2>根据<1>所述的有机电致发光显示装置,其中在所述含细粒层中 的所述细粒是初级粒子。
<3>根据<1>和<2>中任一项所述的有机电致发光显示装置,其中所 述含细粒层还包含细粒分散剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





