[发明专利]铜锌锡硫四元化合物及其构成的薄膜太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种二硫化锡/铜锌锡硫四元化合物薄膜太阳电池，包括导电玻璃/金属 栅电极和金属背电极，其特征在于：所述的导电玻璃/金属栅电极和金属背电极 之间有构成p-n结结构的p-铜锌锡硫四元化合物薄膜和n-二硫化锡薄膜；所述的 铜锌锡硫四元化合物制备方法是：将硫化铜、硫化锌、硫化亚锡按1∶0.2-0.8∶ 0.2-0.8的摩尔比混合，然后加入到适量水中球磨混合1小时以上，将得到的混合 液转移至高压釜中，在120-280℃下水热处理2小时以上，得铜锌锡硫四元化合 物粉末。

2.根据权利要求1所述的二硫化锡/铜锌锡硫四元化合物薄膜太阳电池的制 备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、铜锌锡硫四元化合物的制备：将硫化铜、硫化锌、硫化亚锡按1∶0.2-0.8∶ 0.2-0.8的摩尔比混合，然后加入到适量水中球磨混合1小时以上，将得到的混合 液转移至高压釜中，在120-280℃下水热处理2小时以上，得铜锌锡硫四元化合 物粉末；

(2)、p-铜锌锡硫四元化合物薄膜的制备：将铜锌锡硫四元化合物粉末与粘 接剂混合并涂膜，然后在40-100℃下烘干，120-400℃干燥固化1小时以上，得 p-铜锌锡硫四元化合物薄膜；

所述的粘接剂选用磷酸二氢铝溶液、氧化铝与磷酸二氢铝混合溶液、或氧化 铜与磷酸二氢铝混合溶液；

(3)、p-n结结构薄膜太阳电池的制备：用喷涂、溅涂或丝网印刷方法依次 将导电玻璃/金属栅电极、p-铜锌锡硫四元化合物薄膜、n-二硫化锡薄膜和金属 背电极进行复合，制得p-n结结构薄膜太阳电池。

3.根据权利要求2所述的二硫化锡/铜锌锡硫四元化合物薄膜太阳电池的制 备方法，其特征在于：所述的氧化铝与磷酸二氢铝的混合质量比为0-0.2∶1；所 述的氧化铜与磷酸二氢铝的混合质量比为0-0.16∶1。