[发明专利]存储器编程的放电电路有效

专利信息
申请号: 201010108046.7 申请日: 2010-01-28
公开(公告)号: CN102142280A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 陈重光;陈汉松;洪俊雄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 编程 放电 电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路装置,其特征在于,包括:

一存储器集成电路,包括:

一非挥发存储器阵列具有一第一侧及一第二侧;

多条位线存取该非挥发存储器阵列,该多条位线具有:

一第一端点于该非挥发存储器阵列的该第一侧;

一第二端点于该非挥发存储器阵列的该第二侧;以及

一位线放电电路,其电性连接至该多条位线的该第一端点及该第二端点,该位线放电电路提供该多条位线中的位线多条放电路径。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包含:

控制电路,电性连接至该位线放电电路,以在同一时间为该多条位线中的一位线导通所述多条放电路径,且该控制电路在编程操作时,为该位线同时导通所述多条放电路径。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多条放电路径包含:

一第一放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第一端点的该位线放电电路中的第一多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第一多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第一放电路径,以及

一第二放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第二端点的位线放电电路中的第二多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第二多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第二放电路径。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多条放电路径包含:

一第一放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第一端点的该位线放电电路中的第一多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第一多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第一放电路径,以及

一第二放电路径,至少通过与该多条位线的该第二端点电性连接的感测放大器多任务电路。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包含:

感测放大器多任务电路,包含:

多个多任务晶体管,具有第一电流载送端点电性连接至该多条位线的该第二端点,及第二电流载送端点;以及

一组输出晶体管,电性连接至该多个多任务晶体管的该第二电流载送端点,

其中所述多条放电路径包含:

一第一放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第一端点的该位线放电电路中的第一多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第一多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第一放电路径,以及

一第二放电路径,通过该感测放大器多任务电路的至少一部分。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包含:

感测放大器多任务电路,包含:

多个多任务晶体管,具有第一电流载送端点电性连接至该多条位线的该第二端点,及第二电流载送端点;以及

一组输出晶体管,电性连接至该多个多任务晶体管的该第二电流载送端点;

其中所述多条放电路径包含:

一第一放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第一端点的该位线放电电路中的第一多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第一多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第一放电路径,以及

一第二放电路径,通过该感测放大器多任务电路的该多个多任务晶体管,但是跳过该感测放大器多任务电路的该组输出晶体管。

7.一种集成电路编程放电的方法,其特征在于,包括:

经由开启多个放电晶体管以同时开启多条放电路径;

经由该多条放电路径同时电性放电一位线,其中该位线是存取一非挥发存储器阵列的多条位线之一。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述多条放电路径及多个放电晶体管包含:

一第一放电路径,通过电性连接至该多条位线的该第一端点的该位线放电电路中的第一多个放电晶体管,使得该多条位线中的不同位线,具有通过该第一多个放电晶体管中的不同放电晶体管的该第一放电路径,以及

一第二放电路径,通过感测放大器多任务电路的至少一部分。

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