[发明专利]非易失性存储器的测试方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的测试方法，用于判断所述非易失性存储器是否适合继续进行可靠性测试，所述非易失性存储器包括：

多条字线；

与所述多条字线交叉设置的多条位线；以及

多个非易失性存储单元，其配置在所述多条字线和所述多条位线的各个交点处，每一非易失性存储单元具有浮置栅和控制栅，

其特征在于，所述测试方法包括：

a，选定任意一条字线或位线上的一组非易失性存储单元；

b，对所述选定的一组非易失性存储单元中奇数位非易失性存储单元写入数据后，量测第一漏电流值；

c，对所述选定的一组非易失性存储单元中偶数位非易失性存储单元写入数据后，量测第二漏电流值；

d，对所述选定的一组非易失性存储单元均写入数据后，量测第三漏电流值；

e，判断所述第一漏电流值与所述第二漏电流值之和与所述第三漏电流值的差是否在容许范围内，若不在容许范围内，则所述非易失性存储器存在瑕疵，不适合继续进行可靠性测试，

其中，步骤b、c、d的顺序能够互换。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的测试方法，其特征在于，若步骤e中，判断结果在容许范围之内，则循环步骤a～e，直至测试完所述非易失性存储器的所有字线或所有位线。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器的测试方法，其特征在于，所述非易失性存储器为闪存。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器的测试方法，其特征在于，所述非易失性存储器为电可擦写可编程只读存储器。

5.如权利要求1～4中任一项所述的非易失性存储器的测试方法，其特征在于，所述容许范围为不大于1微安。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器的测试方法，其特征在于，采用量测单元量测所述第一漏电流值、第二漏电流值以及第三漏电流值，所述量测单元的测量精度为纳安级，工作温度为常温。