[发明专利]利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的方法

权利要求书

1.利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的方法，其特征在于，是 一种采用低熔点介质熔接泵浦光纤的端面和双包层光纤侧面的熔接耦合 方法，依次含有以下步骤：

步骤(1)，分别将待熔接的双包层光纤和泵浦光纤进行预处理，露出 内包层；

步骤(1.1)，除去所述双包层光纤表面待制作熔接侧面处的涂覆层， 露出内包层；

步骤(1.2)，除去所述泵浦光纤表面靠近磨抛端一段的涂敷层，并将 该磨抛段的端面按照5°～30°角进行端面磨抛；

步骤(2)，在距离所述双包层光纤包层的待熔接平面0.5mm～3mm处， 平行放置所述泵浦光纤的已磨抛端面；

步骤(3)，在所述泵浦光纤的已磨抛端面均匀贴上粒状或片状，熔点 低于石英制光纤的低熔点玻璃，并把所述粒状或片状低熔点玻璃紧贴所述 双包层光纤包层的待熔接平面；

步骤(4)，用CO₂激光器加热待熔接区域的低熔点玻璃，在熔接过程 中，始终保持紧贴状态，从而实现所述泵浦光纤和双包层光纤的熔接。

2.根据权利要求1所述的利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的 方法，其特征在于：所述低熔点玻璃，用熔点低于所述石英制光纤的低熔 点石英或玻璃光纤代替。

3.根据权利要求1所述的利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的 方法，其特征在于：所述方法在双包层光纤包层表面的至少一个点上实现 与泵浦光纤的熔接耦合。

4.根据权利要求1所述的利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的 方法，其特征在于：所述CO₂激光器，用氢氧焰、或丙烷气、或微粒子喷 灯代替。

5.根据权利要求1所述的利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的 方法，其特征在于：所述双包层光纤包层的平面，是D型、六边形、八边 形、或矩形包层的一个平面。

6.根据权利要求1所述的利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的 方法，其特征在于：所述双包层光纤包层的平面，用双包层光纤的包层侧 面加工实现。