[发明专利]光传感器、光传感器装置和显示装置

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求2009年2月11日提交至韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2009-0011227的权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的实施例涉及光传感器、包括光传感器的光传感器装置以及包括光传感器装置的显示装置。

背景技术

光传感器将光信号转换成电信号。由于光学和半导体工业的当前发展，光传感器正在发展，以提供各种功能。在诸如包括显示单元的移动设备(例如移动电话)、数码相机、个人数字助理(PDA)之类的显示装置中和诸如液晶显示(LCD)设备和有机发光设备(OLED)之类的图像显示装置中包括的光传感器，被用作用于向显示装置提供触摸面板功能的强大工具。

这种内部光传感器在显示装置的厚度、工艺复杂度、开口率等方面比外部触摸面板更有优势。然而，包括非晶硅(Si)或晶体硅的p型-本征-n型(PIN)结型二极管作为内部光传感器的一般结构，不能增加对指定类型的光的感光度，并且仅限于非晶硅Si或晶体Si的特定的吸收波长范围。本发明的实施例克服了现有技术的上述问题，并且还提供了另外的优点。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于有选择地感应用户规定的多个波长带的光并且可以利用简单的制造工艺来制造的光传感器、包括该光传感器的光传感器装置以及包括该光传感器装置的显示装置。

根据本发明的实施例，提供一种光传感器，包括：基板；形成于所述基板上并且包括氧化物的第一光接收层；连接到所述第一光接收层并且包括有机材料的第二光接收层；以及分别连接到所述第一光接收层和所述第二光接收层的第一电极和第二电极。

所述氧化物可以包括氧(O)和从镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)和锡(Sn)所组成的组中选择的至少一种元素。

所述有机材料可以包括酞化菁化合物，所述酞化菁化合物包括从铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、锰(Mn)、铝(Al)、钯(Pd)、Sn、In、铅(Pb)、钛(Ti)、铷(Rb)、钒(V)、Ga、铽(Tb)、铈(Ce)、镧(La)和Zn所组成的组中选择的至少一种金属。

所述有机材料可以具有包括第一层和第二层的双层结构，其中所述第一层包括碳-60(C60)(富勒烯)，所述第二层包括酞化菁化合物，所述酞化菁化合物包括从Cu、Fe、Ni、Co、Mn、Al、Pd、Sn、In、Pb、Ti、Rb、V、Ga、Tb、Ce、La和Zn所组成的组中选择的至少一种金属。

所述有机材料可以具有单层结构，在所述单层结构中混合有碳-60和酞化菁化合物，所述酞化菁化合物包括从Cu、Fe、Ni、Co、Mn、Al、Pd、Sn、In、Pb、Ti、Rb、V、Ga、Tb、Ce、La和Zn所组成的组中选择的至少一种金属。

所述第一光接收层和所述第二光接收层可以垂直堆叠在所述基板上。

所述第二光接收层可以堆叠在所述第一光接收层上。

所述第一光接收层可以堆叠在所述第二光接收层上。

所述第一电极和所述第二电极中的至少一个可以是透明电极。

根据本发明的实施例，提供一种光传感器装置，包括形成于基板上的光传感器和用于处理从所述光传感器接收的传感器信号的至少一个传感器信号处理薄膜晶体管(TFT)，其中所述光传感器包括：形成于所述基板上并包括氧化物的第一光接收层；连接到所述第一光接收层并且包括有机材料的第二光接收层；以及分别连接到所述第一光接收层和所述第二光接收层的第一电极和第二电极，并且其中所述至少一个传感器信号处理TFT的有源层包括与所述光传感器的第一光接收层相同的氧化物。

所述光传感器的第一光接收层和所述至少一个传感器信号处理TFT的有源层可以包括氧(O)，并且可以包括镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)或锡(Sn)。这些材料可以单独使用或组合使用。

所述有机材料可以包括酞化菁化合物，所述酞化菁化合物可以包括铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、锰(Mn)、铝(Al)、钯(Pd)、Sn、In、铅(Pb)、钛(Ti)、铷(Rb)、钒(V)、Ga、铽(Tb)、铈(Ce)、镧(La)或Zn。这些材料可以单独使用或组合使用。

所述有机材料可以具有包括第一层和第二层的双层结构，所述第一层包括碳-60(C60)，所述第二层包括酞化菁化合物，所述酞化菁化合物包括Cu、Fe、Ni、Co、Mn、Al、Pd、Sn、In、Pb、Ti、Rb、V、Ga、Tb、Ce、La或Zn。这些材料可以单独使用或组合使用