[发明专利]光传感器、光传感器装置和显示装置无效
| 申请号: | 201010003343.5 | 申请日: | 2010-01-21 |
| 公开(公告)号: | CN101800288A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 李们在;宋原准;李善姬;李荣熙;金茂显;金慧东 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L27/30;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 装置 显示装置 | ||
1.一种光传感器,包括:
基板;
形成于所述基板上并且包括氧化物的第一光接收层;
连接到所述第一光接收层并且包括有机材料的第二光接收层;以及
分别连接到所述第一光接收层和所述第二光接收层的第一电极和第二电极。
2.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述氧化物包括氧和从镓、铟、锌和锡所组成的组中选择的至少一种元素。
3.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述有机材料包括酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
4.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述有机材料具有包括第一层和第二层的双层结构,所述第一层包括碳-60,所述第二层包括酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
5.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述有机材料具有单层结构,在所述单层结构中混合有碳-60和酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
6.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述第一光接收层和所述第二光接收层垂直堆叠在所述基板上。
7.根据权利要求6所述的光传感器,其中所述第二光接收层堆叠在所述第一光接收层上。
8.根据权利要求6所述的光传感器,其中所述第一光接收层堆叠在所述第二光接收层上。
9.根据权利要求1所述的光传感器,其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个是透明电极。
10.一种光传感器装置,包括形成于基板上的光传感器和用于处理从所述光传感器接收的传感器信号的至少一个传感器信号处理薄膜晶体管,
其中所述光传感器包括:形成于所述基板上并包括氧化物的第一光接收层;连接到所述第一光接收层并且包括有机材料的第二光接收层;以及分别连接到所述第一光接收层和所述第二光接收层的第一电极和第二电极,并且
其中所述至少一个传感器信号处理薄膜晶体管的有源层包括与所述光传感器的第一光接收层相同的氧化物。
11.根据权利要求10所述的光传感器装置,其中所述光传感器的第一光接收层和所述至少一个传感器信号处理薄膜晶体管的有源层包括氧和从镓、铟、锌和锡所组成的组中选择的至少一种元素。
12.根据权利要求10所述的光传感器装置,其中所述有机材料包括酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
13.根据权利要求10所述的光传感器装置,其中所述有机材料具有包括第一层和第二层的双层结构,所述第一层包括碳-60,所述第二层包括酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
14.根据权利要求10所述的光传感器装置,其中所述有机材料具有单层结构,在所述单层结构中混合有碳-60和酞化菁化合物,所述酞化菁化合物包括从铜、铁、镍、钴、锰、铝、钯、锡、铟、铅、钛、铷、钒、镓、铽、铈、镧和锌所组成的组中选择的至少一种金属。
15.根据权利要求10所述的光传感器装置,其中所述传感器信号处理薄膜晶体管包括顺序堆叠在所述基板上的栅电极、栅绝缘膜、所述有源层以及源电极和漏电极,
其中,在所述光传感器中,所述第一电极、所述第一光接收层、所述第二光接收层以及所述第二电极顺序堆叠在所述基板上,
其中所述第一电极和所述栅电极通过图案化相同的材料同时形成,
其中所述第一光接收层和所述有源层同时形成,并且
其中所述第二电极以及所述源电极和漏电极通过图案化相同的材料同时形成。
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