[发明专利]包括背面金属接触的光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，所述光伏器件包括：

第一半导体层，所述第一半导体层位于透明导电层上方；

第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层上方；以及

多晶硅背面金属接触。

2.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述多晶硅背面金属接触是p型掺杂的多晶硅。

3.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述多晶硅背面金属接触是具有至少1×10¹⁷cm^-3的载流子浓度的p型掺杂的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，所述多晶硅背面金属接触是具有至少5×10¹⁹cm^-3的载流子浓度的简并p型掺杂的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，第一半导体层是硫化镉。

6.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，第一半导体层包含硫化镉。

7.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，第二半导体层是碲化镉。

8.根据权利要求1所述的光伏器件，其中，第二半导体层包含碲化镉。

9.一种光伏器件，所述光伏器件包括：

第一半导体层，所述第一半导体层位于透明导电层上方；

第二半导体层，所述第二半导体层位于第一半导体层上方；以及

非晶硅背面金属接触。

10.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，所述非晶硅背面金属接触包含硼掺杂剂。

11.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，第一半导体层是硫化镉。

12.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，第一半导体层包含硫化镉。

13.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，第二半导体层是碲化镉。

14.根据权利要求9所述的光伏器件，其中，第二半导体层包含碲化镉。

15.一种制造光伏器件的方法，所述方法包括：

沉积第一半导体层，所述第一半导体层包含硫化镉半导体；

在第一半导体层上沉积第二半导体层，所述第二半导体层包含碲化镉半导体；以及

沉积背面金属接触，所述背面金属接触包含多晶硅。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过低压化学气相沉积来沉积背面金属接触。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积来沉积背面金属接触。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，通过溅射来沉积背面金属接触。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多晶硅背面金属接触是p型掺杂的多晶硅。

20.一种制造光伏器件的方法，所述方法包括：

沉积第一半导体层，所述第一半导体层包含硫化镉半导体；

在第一半导体层上沉积第二半导体层，所述第二半导体层包含碲化镉半导体；以及

沉积背面金属接触，所述背面金属接触包含非晶硅。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，通过低压化学气相沉积来沉积背面金属接触。

22.根据权利要求20所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积来沉积背面金属接触。

23.根据权利要求20所述的方法，其中，通过溅射来沉积背面金属接触。

24.根据权利要求20所述的方法，其中，所述非晶硅背面金属接触包含硼掺杂剂。