[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：

在腔室内配置被处理基板的工序；

通过供给通路向配置有被处理基板的所述腔室内供给含有含氯气体的处理气体的工序；

在所述处理气体的供给通路中配置含有Ti的Ti含有部，在向所述腔室供给所述处理气体时，使所述处理气体中的含氯气体与所述Ti含有部接触而使所述含氯气体与所述Ti含有部的Ti反应的工序；和

边加热所述腔室内的被处理基板，边向被处理基板上供给通过所述含氯气体与所述Ti含有部的Ti反应而生成的Ti前体气体，通过热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述供给通路包括从气体供给源供给处理气体的气体配管和向所述腔室导入通过气体配管供给的处理气体的气体导入机构，所述Ti含有部配置于所述气体配管或所述气体导入机构中。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述Ti含有部具有设置于所述气体导入机构的外表面或内表面的Ti膜。

4.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述Ti含有部具有设置于所述气体导入机构或气体供给配管中的含Ti构件。

5.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于：

所述含Ti构件具有在空间中填充粒状的Ti构件的状态、或配置有网眼状的Ti构件的状态、或配置有能够通气的Ti构件的状态的Ti构件配置部。

6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

使所述含氯气体与所述Ti含有部的Ti反应的工序在200～800℃进行。

7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

通过所述热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序在200～800℃一边加热被处理基板一边进行。

8.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述含氯气体为TiCl₄气体，所述Ti前体气体为TiCl₃气体或TiCl₂气体。

9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

通过将使所述含氯气体与所述Ti含有部的Ti反应的温度设为425～500℃，生成作为所述Ti前体气体的TiCl₃气体。

10.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

通过将使所述含氯气体与所述Ti含有部的Ti反应的温度设为超过500℃，生成作为所述Ti前体气体的TiCl₂气体。

11.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

通过热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序中，将被处理基板的温度设为超过500℃，使TiCl₂吸附于被处理基板的表面，发生使Cl从TiCl₂脱离的反应。

12.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

通过所述热反应在被处理基板的表面沉积Ti后，边在所述腔室内生成处理气体的等离子体，边进一步沉积Ti。

13.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

重复进行利用所述热反应的Ti沉积和利用所述等离子体的Ti沉积。

14.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述含有含氯气体的处理气体还含有H₂气体。

15.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述含有含氯气体的处理气体还含有不活泼气体。

16.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

通过所述沉积Ti的工序，在被处理基板的表面形成Ti膜。

17.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在被处理基板的表面具有Si含有部，通过所述沉积Ti的工序，在被处理基板的表面形成TiSi_x膜。