[发明专利]用于促进硅电极抛光的盘和适配器组件

说明书

本公开一般地涉及用于电极再调整的方法且，更特别地，涉及用于再调整在等离子体处理系统中已被用做激发电极的单元件或者多元件电极的方法。尽管本公开的方法不限于特别的电极配置或电极再调整之前已使用的环境，但是，为说明目的，此处所阐述的工序是关于示出在图8-图11中的具体硅基电极装置，图8-图11中分开的内部电极和外部电极形成电极组件。

考虑到本公开的方法也将适用于抛光其它类型的电极，包括内部电极和外部电极被集成为一个单片的电极的单电极，以及与此处所阐述的电极结构相同或不同的其它电极配置。

在示出于图8-图11中的具体实施方式中，内部电极包括延伸穿过电极层厚且能够被置于与工艺气体进口流体连通的多个气孔。尽管该气孔能够以各种不同的方式设置，但是在所阐述的具体实施方式中，该气孔以同心圆的方式设置，从内部电极的中心放射状地向外延伸，贯穿同心圆圆周间隔开。同样地，单片、单电极也可以装备有多个气孔。

依据本公开的一种具体实施方式，提供了利用抛光转盘和双功能电极盘(platen)抛光硅电极的方法。双功能电极盘固定于抛光转盘且包括多个设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面的电极固定件。所述电极固定件与成形于待抛光的硅电极的盘接合面的固定件插座的各位置互补。电极固定件和固定件插座配置为允许电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面无破损的接合和解离。双功能电极盘进一步包括位于电极固定件径向向内的盘适配器拱座。盘适配器拱座配置为使盘适配器与旋转抛光轴近似对准。硅电极通过以下方式抛光(i)经由电极固定件和固定件插座接合电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面，(ii)利用抛光转盘施加旋转运动于已接合的硅电极，和(iii)当硅电极关于旋转抛光轴旋转时将硅电极的暴露表面与抛光表面接触。

依据本公开的另一种具体实施方式，提供了双功能电极盘，其包括多个轴向屈从电极固定件和盘适配器拱座。电极固定件设置为伸出于双功能电极盘的电极接合面且与成形于硅电极的盘接合面的轴向屈从固定件插座的各位置互补，其中轴向屈从电极固定件和轴向屈从固定件插固定件配置为允许电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面在单一方向上无破损的接合和解离。盘适配器拱座辐射状地位于轴向屈从电极固定件的内侧，其中盘适配器拱座配置为将盘适配器的盘适配器中心与双功能电极盘的电极适配器中心近似对准。也考虑、公开和要求保护其他的实施方式。

以下关于本公开的特定具体实施方式的详细描述在与以下附图共同阅读时能够被最好地理解，在附图中同样的结构用同样的参考标记表示且在其中：

图1-3示出根据本公开抛光第一类硅电极的方法；

图4和5示出根据本公开抛光第二类硅电极的方法；

图6至图7示出了清洁硅电极的方法；

图8和9呈现了硅电极组件的正视和背视图；

图10至图11示出了图8至图9中的单个电极元件的侧视图；

图12示出了抛光工具；

图13示出根据本公开的电极盘；

图14示出了安装于图13中的电极盘上的硅电极；

图15示出了依据本公开的盘适配器；

图16示出了电极夹具；和

图17至图18示出了由图15和图16中的电极夹具支撑的两种不同类型的硅电极。

图1-图5示出了一种抛光硅电极的方法。参考图1，在一种具体实施方式中，该方法可以包括预抛光测量步骤110。对于内部电极10的表面精糙度的测量，首先测量内部电极的中心。然后，在从中心测量的半径的1/2处，测量相互间隔90°的四个点。也考虑其它形式的表面粗糙度的测量也可以实施。进一步地，也考虑预抛光测量步骤不需要实施。

进一步参考图1，在一种具体实施方式中，内部电极预抛光测量步骤110可以包括测量内部电极10的厚度样态。优选地，内部电极10的厚度沿直径在十八个点上测量，从最边缘和第一排气孔开始且延伸至内部电极的对侧。然而，也考虑厚度测量的其它方法。为了计算内部电极的厚度，合计这18个测量值，且计算平均厚度。优选地，所计算的平均厚度大于最小的可允许的电极厚度。另外，也考虑不进行预抛光测量。