[发明专利]光电转换器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换器件，包括：

位于第一电极与第二电极之间的单元电池，所述单元电池包括按顺序堆叠从而形成半导体结的一种导电性类型的第一杂质半导体层、非单晶半导体层以及导电性类型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层，

其中所述非单晶半导体层包含NH基。

2.如权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为5×10¹⁸/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低，以及

其中通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氧和碳的浓度均低于5×10¹⁸/cm³。

3.如权利要求2所述的光电转换器件，其特征在于，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为1×10¹⁹/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低。

4.如权利要求1所述的光电转换器件，其特征在于，还包括位于所述第一杂质半导体层与所述非单晶半导体层之间的非晶半导体层。

5.一种光电转换器件，包括：

位于第一电极与第二电极之间的单元电池，所述单元电池包括按顺序堆叠从而形成半导体结的一种导电性类型的第一杂质半导体层、非单晶半导体层以及导电性类型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层，

其中所述非单晶半导体层包含NH₂基。

6.如权利要求5所述的光电转换器件，其特征在于，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为5×10¹⁸/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低，以及

其中通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氧和碳的浓度均低于5×10¹⁸/cm³

7.如权利要求6所述的光电转换器件，其特征在于，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为1×10¹⁹/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低。

8.如权利要求5所述的光电转换器件，其特征在于，还包括位于所述第一杂质半导体层与所述非单晶半导体层之间的非晶半导体层。

9.一种光电转换器件，包括：

在第一电极与第二电极之间堆叠的多个单元电池，每个单元电池包括按顺序堆叠从而形成半导体结的一种导电性类型的第一杂质半导体层、非单晶半导体层以及导电性类型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层，

其中在光入射侧单元电池中，所述非单晶半导体层包含NH基。

10.如权利要求9所述的光电转换器件，其特征在于，至少在所述光入射侧单元电池中，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为5×10¹⁸/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低，以及

其中至少在所述光入射侧单元电池中，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氧和碳的浓度均低于5×10¹⁸/cm³。

11.如权利要求10所述的光电转换器件，其特征在于，至少在所述光入射侧单元电池中，通过二次离子质谱法测得的所述非单晶半导体层中的氮浓度为1×10¹⁹/cm³或更高以及5×10²⁰/cm³或更低。

12.如权利要求9所述的光电转换器件，其特征在于，还包括在至少一个所述单元电池中的位于所述第一杂质半导体层与所述非单晶半导体层之间的非晶半导体层。