[发明专利]提供多模式离子源的技术

权利要求书

1.一种用于离子植入的设备，所述设备包括：

离子源，其在多种模式下操作，其中第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括用于在所述多个模式之间切换的开关。

3.根据权利要求1所述的设备，还包括RF电源及RF匹配网络，用于在所述RF模式下操作所述离子源。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述离子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、铟、锗及碳中的至少一个而产生等离子体。

5.根据权利要求1所述的设备，还包括阴极、反射极以及第一额外电极以提供较大电极面积。

6.根据权利要求1所述的设备，还包括阴极、反射极、第一额外电极以及第二额外电极以提供较大电极面积。

7.一种多模式离子源，所述离子源包括：

腔室，其支持多种操作模式，其中第一操作模式为弧放电模式，且第二操作模式为RF模式。

8.根据权利要求7所述的离子源，还包括用于在所述多个操作模式之间切换的开关。

9.根据权利要求7所述的离子源，还包括RF电源及RF匹配网络，用于在所述RF模式下操作所述离子源。

10.根据权利要求7所述的离子源，其中所述离子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、铟、锗及碳中的至少一个而产生等离子体。

11.根据权利要求7所述的离子源，还包括阴极、反射极以及第一额外电极以提供较大电极面积。

12.根据权利要求7所述的离子源，还包括阴极、反射极、第一额外电极以及第二额外电极以提供较大电极面积。

13.一种用于多种模式中的离子植入的方法，所述方法包括：

基于弧放电模式而提供离子源的第一操作模式；

基于RF模式而提供所述离子源的第二操作模式；以及

使用至少一开关在所述第一模式与所述第二模式之间切换。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子源包括用于在所述多个操作模式之间切换的开关。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子源包括RF电源及RF匹配网络，用于在所述RF模式下操作所述离子源。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子源基于乙硼烷、戊硼烷、碳硼烷、十八硼烷、癸硼烷、硼、砷、磷、铟、锗及碳中的至少一个而产生等离子体。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子源包括阴极、反射极以及第一额外电极以提供较大电极面积。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子源包括阴极、反射极、第一额外电极以及第二额外电极以提供较大电极面积。