[发明专利]在从多液态前体沉积的多孔低k薄膜和阻障层间提升黏着性的方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，其至少包含：

将该基板放到处理腔室内的支撑件上；

以第一流速提供第一有机硅前体至该腔室；

以第二流速提供第二有机硅前体至该腔室；

以第三流速提供碳氢化合物混合物至该腔室；

以第四流速提供氧化剂至该腔室；

改变该第二有机硅前体的该第二流速至更高流速；

改变该氧化剂的该流速至更高流速；以及

在处理该基板时的至少一部分时间内，引导该碳氢化合物混合物改道绕过(bypass)该腔室。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一有机硅前体的碳原子与硅原子比率小于该第二有机硅前体的碳原子与硅原子比率。

3.如权利要求1所述的方法，其中该碳氢化合物混合物包含一或多种具有环状基团的化合物。

4.如权利要求1所述的方法，其中改变该第二有机硅前体的该第二流速的步骤包括改变该第二有机硅前体的变化速度比改变该氧化剂的变化速度要快。

5.如权利要求1所述的方法，其中该第一有机硅前体、该第二有机硅前体、该碳氢化合物混合物和该氧化剂在该处理腔室中构成一反应混合物，在处理该基板期间，该反应混合物中的碳原子与硅原子比率从约3∶1提高到约20∶1。

6.一种处理基板的方法，其至少包含：

提供数个包含硅、碳、氧和氢的气体混合物至处理腔室，其中该些气体混合物的其中至少二气体混合物是硅源；

通过施加射频(RF)功率于该处理腔室来提供等离子处理条件；

使至少一部分的该些气体混合物反应而沉积一膜于该基板上；以及

在施加该RF功率期间，调整该处理腔室中的碳原子与硅原子比率，以调整该沉积膜的数个部分中的碳含量。

7.如权利要求6所述的方法，其中调整该处理腔室中的碳原子与硅原子比率的步骤包含引导一或多个气体混合物改道绕过该腔室。

8.如权利要求6所述的方法，其中该些气体混合物包含第一气体混合物，该第一气体混合物包含一或多种具有-Si-C_x-Si-键结的有机硅化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中该些气体混合物更包含一第二气体混合物，该第二气体混合物包含一或多种具有热不稳定基团的碳氢化合物。

10.如权利要求6所述的方法，更包含后续处理该基板，以于该沉积膜内产生多个细孔。

11.如权利要求9项所述的方法，其中调整该处理腔室中的碳原子与硅原子比率的步骤包含使该一或多种碳氢化合物改道绕过该处理腔室。

12.如权利要求6所述的方法，其中调整该沉积膜的碳含量的步骤包含沉积该膜的具有低碳含量的一类氧化物部分、平稳地增加该膜的一过渡部分中的碳含量，以及沉积该膜的具有最高碳含量的一类碳氧化物部分。

13.一种在置于处理腔室内的基板上沉积低介电常数(k)介电膜的方法，该方法包含：

提供第一气体混合物至该处理腔室，该第一气体混合物包含一或多种具-Si-C_x-Si-或-Si-O-C_x-O-Si-键结且碳原子与硅原子比率小于约6∶1的化合物；

伴随该第一气体混合物，提供一第二气体混合物至该处理腔室，该第二气体混合物包含一或多种具有-Si-C_x-Si-或-Si-O-C_x-O-Si-键结且碳原子与硅原子比率大于约8∶1的化合物；

提供包含一或多种碳氢化合物的一第三气体混合物至该处理腔室，该一或多种碳氢化合物的至少其中一化合物具有热不稳定基团；

提供包含多个氧源的一第四气体混合物至该处理腔室；

施加一射频(RF)功率，并且使至少一部分的该些气体混合物反应而沉积一膜于该基板上；

在施加该RF功率时，调整该些含碳的气体混合物中的一或多个气体混合物的量，藉以改变该膜中的碳沉积速度；以及

后续处理该沉积膜，以降低该膜的介电常数。