[发明专利]图像传感器中的滤色器阵列对准标记形成

权利要求书

1.一种在图像传感器晶片中形成滤色器阵列对准标记的方法，所述图像传感器晶片用以形成各自具有经配置以用于背侧照明的像素阵列的多个图像传感器，所述图像传感器晶片至少包括衬底及传感器层，所述方法包括以下步骤：

在所述传感器层中形成滤色器阵列对准标记开口；及

在所述传感器层的前侧表面上形成外延层；

其中所述外延层包括多晶硅滤色器阵列对准标记，其形成于对应于所述传感器层中的所述滤色器阵列对准标记开口中的相应标记开口的位置中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器晶片包括布置于所述衬底与所述传感器层之间的氧化物层，所述方法进一步包括以下步骤：

暴露所述氧化物层的背侧表面；及

在所述氧化物层的所述背侧表面上与所述滤色器阵列对准标记对准地形成滤色器阵列。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述暴露所述氧化物层的背侧表面的步骤进一步包括以下步骤：

在所述外延层的前侧表面上形成电介质层；

将处置晶片附接到所述电介质层的前侧表面；及

移除所述衬底以暴露所述氧化物层的所述背侧表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括将所得经处理晶片分离成所述多个图像传感器的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述传感器层中形成滤色器阵列对准标记开口的步骤进一步包括蚀刻所述开口以使得所述开口终止于所述传感器层中。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述在所述传感器层中形成滤色器阵列对准标记开口的步骤进一步包括蚀刻所述开口以使得所述开口延伸穿过所述传感器层且终止于所述氧化物层中。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述在所述传感器层中形成滤色器阵列对准标记开口的步骤进一步包括蚀刻所述开口以使得所述开口延伸穿过所述传感器层且终止于所述氧化物层的前侧表面处。

8.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在所述滤色器阵列的相应滤色器元件上方与所述滤色器阵列对准标记对准地形成微透镜的步骤。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述电介质层包括层间电介质且进一步包括分离多个金属化物层级的金属间电介质。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述图像传感器晶片包括绝缘体上硅(SOI)晶片。

11.一种具有经配置以用于背侧照明的像素阵列的图像传感器，其包括：

传感器层，其包括所述像素阵列的多个光敏元件；

外延层，其形成于所述传感器层的前侧表面上，所述外延层包括多晶硅滤色器阵列对准标记，所述对准标记形成于对应于所述传感器层的所述前侧表面中的相应滤色器阵列对准标记开口的位置中；及

滤色器阵列，其形成于所述传感器层的背侧表面上；

其中所述滤色器阵列与所述外延层的所述滤色器阵列对准标记对准。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其进一步包括形成于所述外延层的前侧表面上的电介质层。

13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述滤色器阵列对准标记开口终止于所述传感器层中。

14.根据权利要求11所述的图像传感器，其进一步包括布置于所述滤色器阵列与所述传感器层的所述背侧表面之间的氧化物层。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述滤色器阵列对准标记开口延伸穿过所述传感器层且终止于所述氧化物层中。

16.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述滤色器阵列对准标记开口延伸穿过所述传感器层且终止于所述氧化物层的前侧表面处。

17.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述多晶硅对准标记中的至少给定一者具有为大致梯形的横截面形状。

18.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述图像传感器包括CMOS图像传感器。