[发明专利]外观修改设备、制造这种设备的方法和操作这种设备的方法无效
申请号: | 200980122851.0 | 申请日: | 2009-06-09 |
公开(公告)号: | CN102067028A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | A.R.M.弗舒伦;G.奥弗斯吕詹;T.C.克拉恩;S.J.鲁森达尔 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167;G09G3/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李亚非;刘鹏 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 外观 修改 设备 制造 这种 方法 操作 | ||
1. 一种制造用于修改由其覆盖的表面的视觉外观的外观修改设备(2,6,9;10;30)的方法,包括步骤:
- 提供第一衬底(11),该第一衬底在其第一侧上具有由电介质层(21)覆盖的第一电极层(17);
- 提供第二衬底(12),该第二衬底与第一衬底(11)的第一侧相对;
- 在第一衬底(11)和第二衬底(12)之间设置隔离结构(13)以形成多个单元(15,16;31),使得由每个单元占用的区域包括第一电极层(17)的部分;
- 提供至少通过电介质层(21)与第一电极层(17)隔开的第二电极(18),
- 在每个单元(15,16;31)中在电介质层(21)内形成凹口;以及
- 在每个单元(15,16;31)中提供具有散布于其中的多个颗粒(20)的光学透明流体(19)。
2. 依照权利要求1的方法,其中隔离结构(13)在第一衬底(11)的第一侧上提供,并且形成凹口的步骤包括局部地移除电介质层21的部分。
3. 依照权利要求2的方法,其中在电介质层(21)内形成凹口的步骤包括步骤:
- 将第一材料移除束(91a)定向到这样的方向,使得隔离结构(13)阻止第一材料移除束(91a)撞击单元(15,16;31)的第一段(92a)之外的电介质层(21);
- 将第二材料移除束(91b)定向到这样的方向,使得隔离结构(13)阻止第二材料移除束(91b)撞击单元(15,16;31)的第二段(92b)之外的电介质层(21),该第二段与第一段(92a)不同并且在与电介质层(21)的所述部分相应的单元区域中与第一段(92a)重叠。
4. 依照前面的权利要求中任何一项的方法,其中第二电极(17)预先在第二衬底(12)上形成,并且提供第二光学透明衬底(12)的步骤包括步骤:
- 调整第二电极(18)以便相对于电介质层(21)中的凹口侧向偏移;以及
- 将第二衬底(12)附接到第一衬底(11)。
5. 一种外观修改设备(10;30),用于修改由其覆盖的表面的外观,包括:
- 第一衬底(11),其具有设置在其第一侧上的第一电极层(17),该第一电极层(17)被电介质层(21)覆盖;
- 第二衬底(12),其与第一衬底(11)的第一侧相对地设置;
- 隔离结构(13),其将第一衬底(11)和第二衬底(12)隔开,使得第一衬底(11)和第二衬底(12)之间的空间被划分成多个单元(15,16;31);
- 在每个单元(15,16;31)中,具有其中散布的多个颗粒(20)的光学透明流体(19),这些颗粒(20)可通过施加电场而在流体(19)中运动;以及
- 至少通过电介质层(21)与第一电极(17)层隔开的第二电极(18),
- 其中在每个单元(15,16;31)中,电介质层(21)具有在其中形成的凹口;并且
- 其中每个单元(15,16;31)内的颗粒(20)的分布可通过在所述电极(17,18)之间施加电压而被控制从第一散布状态到其中邻近电介质层(21)中的凹口和第二电极(18)中的至少一个地集中颗粒(20)的第二状态。
6. 依照权利要求5的外观修改设备,其中第二电极(18)设置在第一衬底(11)第一侧上的电介质层(21)上。
7. 依照权利要求5或6的外观修改设备,其中隔离结构(13)的至少一部分是导电的并且形成第二电极(18)。
8. 依照权利要求5的外观修改设备,其中第二电极(18)预先在第二衬底(12)上形成。
9. 依照权利要求5-8中任何一项的外观修改设备(10;30),其中在每个单元(15,16;31)中,电介质层(21)具有在其中形成的至少两个凹口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980122851.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。