[发明专利]LED装置中的低折射率间隔层

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)装置，包括：

LED芯片，该LED芯片设在安装面上，上述LED芯片具有有纹理的发光表面和第一折射率；

间隔层，该间隔层设在上述LED芯片上并覆盖上述发光表面，上述间隔层具有第二折射率，该第二折射率小于上述第一折射率；和

至少一个功能层，该功能层设在上述间隔层上。

2.如权利要求1所述的LED装置，上述至少一个功能层包括波长转换层。

3.如权利要求2所述的LED装置，上述波长转换层包括：

粘合剂材料，该粘合剂材料具有第三折射率，所述第三折射率大于上述第二折射率；和

许多磷光体粒子，该许多磷光体粒子分布在整个上述粘合剂材料中。

4.如权利要求3所述的LED装置，其中上述第二折射率近似地为1.5，而上述第三折射率近似地为1.8。

5.如权利要求2所述的LED装置，上述波长转换层包括单晶磷光体材料。

6.如权利要求2所述的LED装置，上述波长转换层包括纳晶磷光体，所述纳晶磷光体分散在整个粘合剂材料中。

7.如权利要求2所述的LED装置，上述至少一个功能层还包括滤光层，所述滤光层可透射第一波长范围的光和反射第二波长范围的光，其中上述滤光层置于上述间隔层和波长转换层之间。

8.如权利要求2所述的LED装置，其中上述LED芯片配置成发射蓝光，而上述波长转换层配置成将一部分上述蓝光变换成黄光，以使上述LED装置发射组合以显示白光的上述蓝光和黄光。

9.如权利要求2所述的LED装置，其中上述至少一个功能层包括光散射元件。

10.如权利要求9所述的LED装置，其中上述光散射元件包括光散射粒子。

11.如权利要求1所述的LED装置，其中上述间隔层包括一基本上是平的表面，该平的表面与上述LED芯片相对。

12.如权利要求1所述的LED装置，其中上述功能层包括抗反射涂层。

13.如权利要求1所述的LED装置，其中上述间隔层具有厚度近似为1-25微米。

14.如权利要求1所述的LED装置，还包括半球形的封装剂，该封装剂设在上述安装面上并覆盖上述LED芯片。

15.如权利要求14所述的LED，上述封装剂具有折射率近似地为1.5。

16.如权利要求1所述的LED装置，其中上述安装面是反射性的。

17.如权利要求1所述的LED装置，其中上述LED芯片包括铝镓铟氮化物(AlGaInN)半导体层。

18.如权利要求1所述的LED装置，其中上述间隔层将上述功能层与上述LED芯片绝热。

19.如权利要求1所述的LED装置，其中上述间隔层使上述LED芯片钝化。

20.如权利要求1所述的LED装置，上述LED芯片包括反射元件，该反射元件与上述有纹理的发光表面相对。

21.发光二极管(LED)装置，包括：

LED芯片，该LED芯片设在安装面上并具有有纹理的发光表面和第一折射率，上述LED发射蓝光；

间隔层，该间隔层设在上述LED芯片上并覆盖上述发光表面，上述间隔层具有与上述LED芯片相对的平的表面和小于上述第一折射率的第二折射率而第二折射率；

波长转换层，该波长转换层设在上述间隔层上，上述波长转换层将一部分上述蓝光转换并发射黄光；和

封装剂，该封装剂设在上述安装面上并覆盖上述LED芯片；

其中上述发光二极管(LED)装置构造成发射上述蓝光和黄光的组合，使上述组合显示白光。

22.如权利要求21所述的LED装置，还包括滤光层，该滤光层可透射第一波长范围的光和反射第二波长范围的光，其中上述滤光层置于上述间隔层和上述波长转换层之间。