[发明专利]薄膜太阳能电池模块的制造方法和薄膜太阳能电池模块有效
申请号: | 200980116223.1 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN102017172A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 内田宽人;田口游子;上田仁;高山道宽 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韩登营 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 模块 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在具有绝缘性的透明基板上形成第1电极层的步骤;
形成第1隔离槽的步骤,由所述第1隔离槽隔开所述透明基板的周边区域和位于该周边区域内侧的发电区域,所述第1隔离槽的形成深度达到该透明基板的表面;
在所述透明基板上形成半导体层的步骤;
在所述透明基板上形成第2电极层的步骤;
形成第2隔离槽的步骤,所述第2隔离槽位于比所述第1隔离槽还靠近所述周边区域的位置,所述第2隔离槽的形成深度达到所述透明基板的表面;
对包括所述第2隔离槽在内的所述周边区域进行喷砂处理,以去除所述周边区域上的所述第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
所述第2隔离槽按以下方式形成,在形成所述第2电极层之后,对位于所述第2隔离槽形成位置上的所述第2电极层、半导体层以及第1电极层进行激光切割加工而形成。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
所述第2隔离槽按以下方式形成,在形成所述第1电极层之后,对位于所述第2隔离槽形成位置上的所述第1电极层进行激光切割加工,再形成所述第2电极层之后,对位于所述第2隔离槽形成位置上的所述第2电极层以及半导体层进行激光切割加工而形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
还包括形成第3隔离槽的步骤,所述第3隔离槽形成在所述第1隔离槽和第2隔离槽之间,所述第3隔离槽的形成深度至少达到所述第1电极层的表面。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
在去除所述周边区域上的所述第1电极层、半导体层和第2电极层的步骤中,按以下要求进行喷砂处理,即,使填入所述第1隔离槽中的所述半导体层保持覆盖所述第1电极层的临近所述周边区域的边缘部分。
6.一种薄膜太阳能电池模块,其特征在于,具有:
透明基板,该透明基板具有绝缘性并在该透明基板上设定有周边区域;
第1电极层,该第1电极层形成在所述透明基板上的比所述周边区域还靠近内侧的位置;
半导体层,该半导体层重叠在所述第1电极层上并覆盖所述第1电极层的临近所述周边区域的边缘部分;
第2电极层,该第2电极层重叠在所述半导体层上并与所述第1电极层电气连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的