[发明专利]具有变化的薄层电阻的触屏传感器有效
| 申请号: | 200980114134.3 | 申请日: | 2009-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN102016768A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | 马修·H·弗雷;迈克尔·J·罗布雷希特;乔治·F·扬博尔 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/03;G02F1/13 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 变化 薄层 电阻 传感器 | ||
1.一种触屏传感器,包括:
可见光透明基底;
导电微图案,所述导电微图案设置在所述可见光透明基底之上或之内,所述微图案包括第一区域微图案和第二区域微图案,所述第一区域微图案位于触摸感测区域内;
所述第一区域微图案在第一方向上具有第一薄层电阻值,所述第一区域微图案对可见光透明,并且具有至少90%的开放区域;
所述第二区域微图案在所述第一方向上具有第二薄层电阻值,
其中,所述第一薄层电阻值不同于所述第二薄层电阻值。
2.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案与所述第二区域微图案是非电邻接的。
3.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案与所述第二区域微图案是电邻接的。
4.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案和所述第二区域微图案为在整个所述感测区域上延伸的电邻接的金属微图案格栅的部分。
5.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案的薄层电阻值沿所述第一区域微图案内的至少一条路径变化。
6.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案的薄层电阻值在每平方0.1至1000Ω的范围内。
7.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述导电微图案在所述触摸感测区域内具有在95%和99.5%之间的开放区域。
8.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述导电微图案在所述感测区域内具有导电沉积物,所述导电沉积物与所述触屏传感器的驱动装置电隔离。
9.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述导电微图案包括线形金属特征,所述线形金属特征具有在0.5微米至5微米范围内的宽度值和在所述感测区域内小于1微米的均匀厚度。
10.根据权利要求1所述的触屏传感器,其中所述导电微图案包括具有导电迹线的二维格栅,其中一些迹线具有选择性设置的断点。
11.一种触屏传感器,包括:
可见光透明基底;和
导电微图案,所述导电微图案设置在所述可见光透明基底之上或之内,所述微图案包括触摸感测区域内的第一区域微图案;
所述第一区域微图案具有各向异性的第一薄层电阻,所述第一区域微图案对可见光透明,并且具有至少90%的开放区域。
12.根据权利要求11所述的触屏传感器,还包括在所述感测区域内的与所述第一区域微图案非电邻接的第二区域微图案,所述第二区域微图案具有各向异性的第二薄层电阻,所述第二区域微图案对可见光透明,并且具有至少90%的开放区域。
13.根据权利要求11所述的触屏传感器,还包括在所述感测区域内的与所述第一区域微图案非电邻接的第二区域微图案,所述第二区域微图案具有各向同性的第二薄层电阻,所述第二区域微图案对可见光透明,并且具有至少90%的开放区域。
14.根据权利要求11所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案具有各向异性的第一薄层电阻,并且相互正交方向的薄层电阻值为至少1.5倍的关系,并具有在95%和99.5%之间的开放区域。
15.根据权利要求11所述的触屏传感器,其中在至少一个方向上的所述第一区域微图案的薄层电阻值在所述第一区域微图案内沿所述至少一个方向变化。
16.根据权利要求11所述的触屏传感器,其中所述第一区域微图案的薄层电阻值在每平方0.1至1000Ω的范围内。
17.根据权利要求11所述的触屏传感器,其中所述导电微图案具有导电沉积物,所述导电沉积物与所述触屏传感器的驱动装置电隔离。
18.根据权利要求11所述的触屏传感器,其中所述导电微图案包括线形金属特征,所述线形金属图特征具有在0.5微米至5微米范围内的宽度值和在所述感测区域内小于1微米的均匀厚度。
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