[发明专利]用于在底材上形成沉积金属的底层的方法有效

专利信息
申请号: 200980111161.5 申请日: 2009-03-30
公开(公告)号: CN101981663A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 克莱蒙特·巴里尔;皮埃尔·法乌;布鲁诺·肖德雷;奥利维尔·玛吉特 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心
主分类号: H01L21/288 分类号: H01L21/288;H01L21/768;C23C18/38
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张春媛;阎娬斌
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 用于 底材上 形成 沉积 金属 底层 方法
【权利要求书】:

1.一种用于在底材(5)上形成种子层(23)的方法,所述种子层能够使金属层随后沉积,所述方法包括在包含来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的材料的浴液(7)中浸入底材的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述随后沉积是无电镀沉积。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述浴液(7)保持在80℃和130℃之间范围的温度,优选地110℃的温度,并且在所述浴液上方保持氢环境,以便具有范围在2000百帕和4000百帕之间,优选地3000百帕的总压强,所述底材被浸入几个小时,优选地大约8小时。

4.根据权利要求1到3任一项的方法,其中所述材料是四乙氧基硅烷(TEOS)。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述TEOS中铜脒化物或者镍脒化物浓度范围在15克/升和TEOS中脒化物的饱和浓度之间。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述底材(5)由来自包括以下物质的组的材料制成或者涂敷:二氧化硅、硅、玻璃、苯并环丁烯(BCB)和传导材料。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述浸入步骤之后是通风,接着是退火步骤,所述退火步骤在氢和氩气流下,在范围在250℃和350℃之间的温度,优选地大约300℃的温度,持续几小时,优选地大约3小时。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述底材(5)包括沟槽和/或孔。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述浴液(7)还包括感光化合物。

10.一种向待涂敷有金属层的底材(5)施用的预处理剂,所述预处理剂由来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的作用剂构成。

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