[发明专利]谐振器的支承装置有效
| 申请号： | 200980110178.9 | 申请日： | 2009-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101978484A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 中居诚也 | 申请（专利权）人： | 阿德威尔斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 支承 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种谐振器的支承装置，其特征在于，具备：
通过振动件的超声波振动而发生谐振的谐振器；
形成在所述谐振器的外周面的被支承部；
与所述被支承部卡合而支承所述谐振器使所述谐振器的固有振动频率不偏离的支承机构，
所述支承机构在与所述谐振器接触的部位具备由对数衰减率大于0.01且小于1的材质构成的支承部件。
2.一种谐振器的支承装置，其特征在于，具备：
通过振动件的超声波振动而发生谐振的谐振器；
形成在所述谐振器的外周面的被支承部；
与所述被支承部卡合而支承所述谐振器使所述谐振器的固有振动频率不偏离的支承机构，
所述支承机构在与所述谐振器接触的部位具备由声速大于5900m/s的材质构成的支承部件。
3.根据权利要求1或2所述的谐振器的支承装置，其特征在于，
在所述谐振器的下方还具备载物台，该载物台上载置施加超声波振动的对象物，
所述载物台至少在载置所述对象物的载置面上具备由对数衰减率大于0.01且小于1的材质构成的振动传递抑制用保持部件。
4.根据权利要求1或2所述的谐振器的支承装置，其特征在于，
在所述谐振器的下方还具备载置所述对象物的载物台，
所述载物台至少在载置所述对象物的载置面上具备由声速大于5900m/s的材质构成的振动传递抑制用保持部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
