[发明专利]用于基于天然纤维素纤维或合成纤维或其组合使用并产生纸张作为用于具有使用有源半导体氧化物的存储器的自支持型结场效应晶体管中的电荷的物理支撑体和存储介质的工艺

权利要求书

1.一种用于制造具有非易失性存储器的场效应半导体有源电子或光电子器件的工艺，其特征在于其在所述器件的电介质中包括基于基于天然纤维素的纤维、合成纤维或其组合的薄膜，称为纸张(2)。

2.根据前述权利要求所述的工艺，其特征在于所述膜(2)还充当所述器件的将其变成可自支持器件的基板。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于其包括在纸张的两个表面上以离散或连续的方式沉积的有机或无机成因的一个或更多个附加组件，其具有采取单体、组成或多堆叠串联结构的自适应层(4)的金属(3、5)、半导体(1)、绝缘体(6)。

4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其包括在接近于室温的温度下处理的所述组件，并且在于可以可选地将这些组件退火至200摄氏度。

5.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其包括借助于以下方法中的一个或更多个的组件沉积：真空中的电阻性热蒸发或借助于电子枪；连续电流或射频或超高频的磁控管辅助或非辅助阴极溅射；通过经由射频或超高频的辅助或非辅助化学汽相分解；通过喷墨印刷；通过化学乳化。

6.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其沉积包括有机或无机材料、达到30μm的高导电性金属或半导体氧化物的一个或更多个导电组件(3、5)。

7.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其沉积包括在1nm与5μm之间的共价无机材料、或单体或化合物离子材料、或有机材料、优选地为硅合金或锌基多化合物氧化物的一个或更多个半导体组件(1)。

8.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其包括作为半导体的离子氧化物，其负责允许沟道区的末端区域处的涂层纤维和有源半导体氧化物的互连，其被用作漏极和源极(5)区，优选地由锌和铟合金制成。

9.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于其结合了金属电极(3)、纤维纸张(2)、半导体(1)结构，其中，基于天然或合成纤维素的纸张或其组合同时充当能够允许纤维、有源半导体或纸张半导体界面内的电荷存储感生的元件和电介质。

10.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于在沉积最终器件的任何其它组件之前为所述基于天然或合成纤维素的纸张或其组合提供钝化或自适应层(4)。

11.根据前述权利要求所述的工艺，其特征在于所述钝化或自适应层(4)包括共价电介质材料或高电阻离子材料，特别地包括在1nm至500nm之间的厚度，比组成纸张的纤维厚度低两个数量级以上。

12.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于由达到30μm的电介质(6)来容纳所述最终器件。

13.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于所述膜(2)包括具有自发电极化能力的通过再生、溶解或其组合产生的天然或合成纤维素纤维，其中，所述电介质具有独立于施加的任何电场的准永久性电荷，表现为与驻极体类似。

14.根据前述权利要求的工艺，其特征在于所述纸张(2)的纤维素纤维被嵌入具有优选地通过添加诸如铝的阳离子物质来控制的电负性的树脂或离子胶中。

15.一种包括非易失性存储器的场效应半导体有源电子或光电子器件，其特征在于其在所述器件的电介质中包括基于天然或合成纤维素纤维或其组合的薄膜，称为纸张(2)。

16.根据前述权利要求所述的器件，其特征在于所述膜(2)还充当所述器件的基板，将其变成可自支持的。

17.根据权利要求15或16所述的器件，其特征在于其还包括有机或无机成因的一个或更多个组件，具有采取组合或多层串联结构的半导体(1)、绝缘体(6)或自适应层(4)金属的电特征，所述组件被离散地或连续地沉积在纸张两个表面上。

18.根据权利要求17所述的器件，其特征在于所述一个或更多个导电组件(3、5)包括有机或无机材料、金属或达到30μm的高导电性半导体氧化物。

19.根据权利要求17所述的器件，其特征在于所述一个或更多个半导体组件(1)包括在1nm与30μm之间的共价无机材料或单体或化合物或有机离子材料、优选地为硅合金或锌基多化合物氧化物。