[发明专利]具有窄的表面声波属性分布的铌酸锂晶片

权利要求书

1.一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法，包括：

测量一个或多个晶体样本的组分，并确定晶体组分从同成分的偏离；

确定初始熔体组分以及与所述偏离相应的源材料组分修正；以及

利用所述组分修正生长晶体，以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体从LN、Bi₁₂SiO20和Bi₁₂GeO₂₀的至少一个中选择。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述晶体是LN，并且所述同成分熔融的化合物由Nb₂O₅和Li₂CO₃反应而成。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：

由Nb₂O₅和Li₂CO₃反应后的粉末生长一个或多个测试晶体。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

确定所述源材料的具有粉末重量比或摩尔分数的初始称量配方。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

以一个或多个固化率切割测试晶体；并且

测量所述测试晶体的组分。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

使用组分估计来计算称量配方修正。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制作与从中心值偏离不超过±515ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过0.1％的晶片具有从中心值偏离超过±515ppm的速度值。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制造与从中心值偏离不超过±460ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过1％的晶片具有从中心值偏离超过±460ppm的速度值。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制造与从中心值偏离不超过±240ppm的声波速度值分布相对应的组分值范围内的晶片。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

制造与声波速度值的分布相对应的组分值范围内的晶片，其中不超过1％的晶片具有从中心值偏离超过±240ppm的速度值。

14.一种由同成分熔融的化合物制造的衬底，包括：

具有包含在距中心值±515ppm的窗口内的速度分布的衬底。

15.如权利要求14所述的衬底，其中所述化合物从LN、Bi₁₂SiO20和Bi₁₂GeO₂₀的至少一个中选择。

16.如权利要求14所述的衬底，其中所述化合物是LN，并且通过使源材料Nb₂O₅和Li₂CO₃反应来产生。

17.如权利要求14所述的衬底，其中居里温度包含在距中心值±1.84度的窗口内。

18.如权利要求14所述的衬底，其中对于超过99.9％的衬底，居里温度包含在距中心值±1.84度的窗口内。

19.如权利要求14所述的衬底，其中具有超出距中心值±1.84度的窗口的居里温度的衬底的百分比是0.1％或更低。

20.如权利要求14所述的衬底，其中居里温度包含在距中心值±1.65度的窗口内。

21.如权利要求14所述的晶体，其中所述晶体具有在同成分温度的0.86度内的居里温度。

22.如权利要求14所述的衬底，其中在转换成晶体的熔体量是80％或更高的情况下生长测试晶体。