[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法无效
| 申请号: | 200980101838.7 | 申请日: | 2009-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN101911313A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 李圣恩 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。
背景技术
近年来,随着预期诸如石油和煤炭等现有能源即将耗尽,取代这些现有能源的替代能源日益受到关注。在替代能源中,太阳能电池尤其受到公众的注意,这是由于,作为由太阳能产生电能的电池,太阳能电池能够从丰富的来源中提取出能量且不造成环境污染。一般的太阳能电池包括由半导体形成并各自具有诸如p型和n型的不同导电类型的基板和发射极层、以及分别形成在基板和发射极层上的电极。一般的太阳能电池还包括形成在基板与发射极层之间的交界面处的pn结。
当光入射在太阳能电池上时,在半导体中产生了多个电子-空穴对。通过光伏效应将多个电子-空穴对中的每一对都分离为电子和空穴。因此,被分离出的电子移动到n型半导体(例如,发射极层),而分离出的空穴移动到p型半导体(例如,基板),并且由分别电连接到发射极层和基板的电极收集电子和空穴。使用电线将电极相互连接起来以获得电能。
发明内容
技术问题
实施方式提供了能够缩短太阳能电池的制造时间的太阳能电池。
技术方案
根据本发明的一个方面,提供了一种形成太阳能电池的电极的方法,该方法包括以下步骤:在包括发射极层的基板的一部分上选择性地形成至少暴露出所述基板的一部分的钝化层,所述钝化层包括至少一层;形成电连接到所述发射极层的第一电极;以及在所述基板的该暴露部分上形成多个第二电极以将该多个第二电极电连接到所述基板。
在所述基板的光未入射的表面上形成所述钝化层。
所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤:在所述基板上设置包括多个开口和多个阻挡部的掩模;以及在所述基板的面向所述开口的部分上形成一个层,并且形成所述基板的面向所述阻挡部的多个暴露部分,以形成包括所述多个暴露部分的所述钝化层,其中,所述多个第二电极穿过所述多个暴露部分电连接到所述基板。
根据本发明的另一个方面,提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板上并与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层;依次地设置在所述发射极层上的第一防反射层和第二防反射层;电连接到所述发射极层的第一电极;依次地设置在所述基板上的第一钝化层到第三钝化层,各个所述第一钝化层到所述第三钝化层包括多个暴露部分;以及电连接到所述基板的由所述多个暴露部分暴露出的部分的多个第二电极。
所述第一防反射层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成,所述第二防反射层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述第一防反射层的折射率可以大于所述第二防反射层的折射率。
所述第一防反射层可以具有大约2.2到2.6的折射率,而所述第二防反射层可以具有大约1.3到1.6的折射率。
所述第一钝化层可以由硅氧化物(SiOx)形成,所述第二钝化层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成,所述第三钝化层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述第一钝化层可以具有最大折射率,而所述第三钝化层可以具有最小折射率。
所述第一电极的厚度可以大于所述第一防反射层和所述第二防反射层的厚度之和。
根据本发明的又一个发明,提供了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在第一导电类型的基板上形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层;依次地将所述基板放置在多个室中,以在所述发射极层上形成防反射层,并且在所述基板的与所述基板的入射表面相反的后表面上形成包括至少一个暴露部分的钝化层;在所述防反射层上涂敷第一膏以形成第一电极图案;在所述钝化层上并在所述基板的由所述暴露部分暴露出的部分上涂敷第二膏以形成第二电极导电层图案;以及对具有所述第一电极图案和所述第二电极导电层图案的所述基板执行热处理,以形成电连接到所述发射极层的多个第一电极,并形成包括电连接到所述基板的至少一个第二电极的第二电极导电层。
室的数量可以等于构成所述防反射层的层数与构成所述钝化层的层数之和,其中,可以将不同的源气体注入各个所述多个室中。
所述防反射层可以包括各自具有不同折射率的第一防反射层和第二防反射层。
所述第一防反射层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成,所述第二防反射层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述钝化层可以包括各自具有不同折射率的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。
被设置得距所述基板最近的所述第一钝化层可以具有最大折射率,而被设置得距所述基板最远的所述第三钝化层可以具有最小折射率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980101838.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





