[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种形成太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：

在包括发射极层的基板的一部分上选择性地形成至少暴露出所述基板的一部分的钝化层，所述钝化层包括至少一层；

形成电连接到所述发射极层的第一电极；以及

在所述基板的该暴露部分上形成多个第二电极以将该多个第二电极电连接到所述基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板的光未入射的表面上形成所述钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该形成所述钝化层的步骤包括以下步骤：

在所述基板上设置包括多个开口和多个阻挡部的掩模；以及

在所述基板的面向所述开口的部分上形成一个层，并且形成所述基板的面向所述阻挡部的多个暴露部分，以形成包括所述多个暴露部分的所述钝化层，

其中，所述多个第二电极穿过所述多个暴露部分电连接到所述基板。

4.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一导电类型的基板；

位于所述基板上并与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；

依次地设置在所述发射极层上的第一防反射层和第二防反射层；

电连接到所述发射极层的第一电极；

依次地设置在所述基板上的第一钝化层到第三钝化层，各个所述第一钝化层到所述第三钝化层包括多个暴露部分；以及

电连接到所述基板的由所述多个暴露部分暴露出的部分的多个第二电极。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层的折射率大于所述第二防反射层的折射率。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层的折射率大约为2.2到2.6，所述第二防反射层的折射率大约为1.3到1.6。

8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层由硅氧化物(SiOx)形成，所述第二钝化层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第三钝化层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。

9.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层的折射率最大，而所述第三钝化层的折射率最小。

10.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一电极的厚度大于所述第一防反射层和所述第二防反射层的厚度之和。

11.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在第一导电类型的基板上形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；

依次地将所述基板放置在多个室中，以在所述发射极层上形成防反射层，并且在所述基板的与所述基板的入射表面相反的后表面上形成包括至少一个暴露部分的钝化层；

在所述防反射层上涂敷第一膏以形成第一电极图案；

在所述钝化层上并在所述基板的由所述暴露部分暴露出的部分上涂敷第二膏以形成第二电极导电层图案；以及

对具有所述第一电极图案和所述第二电极导电层图案的所述基板执行热处理，以形成电连接到所述发射极层的多个第一电极，并形成包括电连接到所述基板的至少一个第二电极的第二电极导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，室的数量等于构成所述防反射层的层数与构成所述钝化层的层数之和，

其中，在各个所述多个室中注入不同的源气体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述防反射层包括各自具有不同折射率的第一防反射层和第二防反射层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一防反射层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述钝化层包括各自具有不同折射率的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，被设置得距所述基板最近的所述第一钝化层的折射率最大，而被设置得距所述基板最远的所述第三钝化层的折射率最小。