[实用新型]LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 200920272263.2 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN201549512U | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 马强;陈强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/52;H01L23/522 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 功率 器件 | ||
1.一种LDMOS功率器件，包括衬底(1)、衬底(1)上的第一导电类型外延层(2)、以及形成于第一导电类型外延层(2)上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底(1)导电连接，其特征在于：所述衬底(1)为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底(1a)。
2.根据权利要求1所述的LDMOS功率器件，其特征在于：所述源极区通过导电沟槽(4)连接到第二导电类型衬底(1a)上，或者所述源极区通过导电全过孔(5)连接到第二导电类型衬底(1a)底部，所述源极区表面设有与导电沟槽(4)或导电全过孔(5)导电连接的源欧姆接触区(3)。
3.根据权利要求2所述的LDMOS功率器件，其特征在于：所述源欧姆接触区(3)由源极区表面延伸到导电沟槽(4)或导电全过孔(5)上方并与导电沟槽(4)或导电全过孔(5)直接连接。
4.根据权利要求2所述的LDMOS功率器件，其特征在于：所述LDMOS功率器件半导体表面设有氧化层(6)，所述氧化层(6)内设有导电层(7)，所述导电层(7)分别与源欧姆接触区(3)和导电沟槽(4)或导电全过孔(5)导电连接。
5.根据权利要求2所述的LDMOS功率器件，其特征在于：所述第一导电类型外延层(2)上还于导电沟槽(4)或导电全过孔(5)周围设有与第二导电类型衬底(1a)连接的第二导电类型重掺杂连接沟槽(8)。
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