[实用新型]一种倒装焊接的LED芯片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管芯片技术领域，尤其是涉及一种倒装焊接的LED芯片结构。

背景技术

AlGaInN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的P电极和N电极只能制备在外延表面的同一侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是P型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的ITO欧姆接触层的厚度应大于5-10nm，但是要使光吸收最小，则ITO欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。反射层的制备将改变光的传输路径经由N基面从蓝宝石一方透射出来，此法进一步提升芯片的出光效率，外量子效率达21％，功率换效率达20％(200mA，455nm)，最大功率达到400mW(驱动电流1A，455nm，芯片尺寸1mmx1mm)，其总体发光效率比正装增加1.6倍左右。

AlGaInN基二极管外延片所用的衬底为蓝宝石，它的导热性能较差，为了更有效的散热和降低结温，另外用激光技术将2英寸HVPE(氢化物气相外延)GaN与蓝宝石剥离，用Si衬底取代蓝宝石衬底的AIGaInN功率型芯片主要由三个关键工艺步骤完成：①在外延表面淀积键合金属层如Pd(铂金)100nm，以及在键合底板上如Si底板表面淀积一层1000nm的铟；②将外延片低温键合到底板上；③用KrF(氟化氪)脉冲准分子激光器照射蓝宝石底面，使蓝宝石和GaN界面的GaN产生热分解，再通过加热(40度)使蓝宝石脱离GaN。

上述方法在一定程度上改善了LED芯片的可靠性和出光率，但还不能满足于批量生产及市场的需求，可靠性及出光率都有待于进一步的提高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种倒装焊接的LED芯片结构，该芯片结构的可靠性高，其出光率也高。

本实用新型是一种倒装焊接的LED芯片结构，包括基板和欧姆接触层，其中：所述的欧姆接触层的厚度为：5100±200A，该欧姆接触层上设置有一反光镜结构。

本实新型更进一步的方案是：所述的反光镜是通过在欧姆接触层的表面溅镀一层银基而形成。

本实新型更进一步的方案是：所述的基板可通过激光减去70-80μm或研磨的方式减薄到85±5μm。

本实新型更进一步的方案是：所述的基板可通过激光或研磨的方式去掉。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实新型提供一种倒装焊接的LED芯片结构，其通过在欧姆接触层上设置一反光镜，光从正面发出，提高了芯片的出光率，同时，将欧姆接触层的厚度增加到的厚度，以利增加其电流扩散的作用，提高芯片的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的剖面结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实新型实施例提供一种倒装焊接的LED芯片结构，本实用新型所述的LED芯片结构包括基板1，N-GaN2，即N电极层，SiO₂层3，N-pad4，即N极，焊接金线5，硅片上对应的N电极6，硅片焊线区域7，Si衬底8，ctive层9，P-GaN 10，即P电极层，欧姆接触层11，P-pad 13，即P极，Si衬底8上对应的P电极14，Si衬底8上的P-N引出线15，所述的欧姆接触层11上设置有一反光镜12，该反光镜结构是通过在欧姆接触层11的表面溅镀一层银基而形成，并将所述的欧姆接触层增加到5100±200A。