[实用新型]单晶抛光硅片背损伤装置移动托架

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路加工工艺领域，特别涉及单晶抛光硅片物理缺陷吸杂技术领域，具体是指一种单晶抛光硅片背损伤装置移动托架。

背景技术

大规模和超大规模集成电路中重要的材料是单晶抛光硅片，而集成电路中所用单晶抛光硅片中的重金属杂质如Fe、Cu、Ni、Au等会造成硅片少数载流子寿命的降低和器件电路中漏电流的增大，因而有效控制单晶抛光硅片内的各种重金属杂质有非常重要的作用。

现有技术中，硅片加工中常采用的方法有内吸杂和外吸杂，具体如下：

(1)内吸杂是利用热处理在硅片内部产生氧沉淀来达到硅片表面吸杂的目的，此工艺吸杂效果较好，但加工时间处理过长和成本过高；

(2)外吸杂是利用物理损伤或缺陷来达到吸杂的目的，其常见处理工艺有背损伤(通过喷砂)、低压化学气相沉积多晶硅和激光背面照射损伤等，其中以背损伤处理工艺的高效和成本低而被广泛的采用，该工艺是一种到对硅片的背面进行物理损伤缺陷以达到吸附硅片内部的重金属杂质的一种吸杂工艺，其中是通过控制研磨剂颗粒大小、喷射压力和硅片移动托架的移动速度来使硅片达到不同的物理缺陷密度从而有效的进行金属杂质各种级别不同吸杂要求的工艺加工。

但是，在背损伤加工处理中，由于硅片的放置的原因，容易在较大的喷射压力下硅片产生碎片，这样就给硅片的加工带来了很大的困难，而且增加了生产成本。因此，如何降低碎片的发生率，大幅度提高硅片的成品率，是摆在半导体集成电路领域中亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够适应不同研磨剂颗粒大小、喷射压力和不同移动速度情况、有效降低硅片的碎片率、结构简单耐用、操作快捷方便、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架。

为了实现上述的目的，本实用新型的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架具有如下构成：

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架，包括托架主体，其主要特点是，所述的托架主体周边设置有托架固定部件，且该托架主体中部设置有均匀分布且相互连接的数个托架支撑部，所述的相邻的托架支撑部之间形成有镂空的托架孔，所述的托架支撑部和托架孔共同组成与硅片外形相对应的下凹区域。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架支撑部可以为至少二个均匀分布的同心圆弧筋条和连接各个同心圆弧的径向筋条。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架支撑部也可以为至少二个均匀分布的矩形、正方形、菱形、三角形或者多边形，所述的各个矩形、正方形、菱形、三角形或者多边形之间通过顶点或者边相连接。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架主体由至少二个托架主体子片组合而成。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的各个托架主体子片的形状彼此对称。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架主体子片的数量可以为二个、四个、六个或者八个。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架固定部件为均匀分布于托架主体周边的托架固定孔。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的托架主体上还设置有硅片定位部件。

该单晶抛光硅片背损伤装置移动托架中的硅片定位部件为均匀设置于托架主体上的硅片定位柱。

采用了该实用新型的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架，由于其中的托架主体上设置有数个托架支撑部和托架支撑部之间的镂空的托架孔，从而使得该硅片背损伤装置移动托架能够有效的降低硅片碎片率，并且有效避免了硅片和金属接触所造成的金属污染；同时托架固定孔的存在保证了该移动托架的有效移动和硅片在此移动托架上的水平，不仅如此，托架孔的存在减少了硅片表面研磨剂所造成的污迹发生率，其可行性和可操作性较强，能够适应不同研磨剂颗粒大小、喷射压力和移动托架不同移动速度情况，同时又可满足硅片表面研磨剂的充分流动和托盘下盘面清洗，加工硅片效率高，稳定性好，有效降低了生产成本，结构简单耐用，操作快捷方便，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛，产生了较好的经济效益和社会效益。

附图说明

图1为本实用新型的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架的正面示意图。

图2为本实用新型的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架的侧面示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容，特举以下实施例详细说明。